第七章第歌一节光电式传感器.pptVIP

同理D1发射的电子在D2更高正电位作用下，再次被加速打在D2极上，D2又会产生二次电子发射，这样逐级前进，直到电子被阳极A收集为止。通常光电倍增管的阳极与阴极间的电压为10002500V，两个相邻倍增电极的电位差为50 100V，其灵敏度比普通真空光电管高几万到几百万倍，因此在很微弱的光照下也能产生很大的光电流。 三、光电导效应和光生伏特效应(内光电效应) 物体受光照射后，其内部的原子释放出电子并不逸出物体表面，而仍留在内部，使物体的电阻率发生变化或产生光电动势的现象称为内光电效应。前者称为光电导效应，后者称为光生伏打效应。半导体材料在光线作用下电导率增加的现象就是光电导效应。 1．光敏电阻 光敏电阻是一种用光电导材料制成的没有极性的光电元件，也称光导管。它基于半导体光电导效应工作。由于光敏电阻没有极性，工作时可加直流偏压或交流电压。当无光照时，光敏电阻的阻值(暗电阻)很大。电路中电流很小。当它受到一定波长范围的光照射时，其阻值(亮电阻)急剧减小，电路中电流迅速增加，用电流表可以测量出电流。根据电流值的变化，即可推算出照射光强的大小。 ⑴ 暗电阻、亮电阻 光敏电阻未受光照时的阻值称为暗电阻，受强光照射时的阻值称为亮电阻。暗电阻越大亮电阻越小灵敏度越高。 ⑵ 光敏电阻的伏安特性 在一定光照下，所加的电压越高，电流越大；在一定的电压作用下，入射光的照度越强，电流越大，但并不一定是线性关系。 ⑶ 光敏电阻的光谱特性 对于不同波长的光，光敏电阻的灵敏度是不同的。在选用光电器件时必须充分考虑到这种特性。 (4)光敏电阻的响应时间和频率特性 光电器件的响应时间反映它的动态特性。响应时间越短，表示动态特性越好。对于采用调制光的光电器件，调制频率的上限受响应时间的限制。光敏电阻的响应时间一般为10-110-3s，光敏二级管的响应时间约210-5s。 ⑸ 光敏电阻的温度特性 随着温度的升高，光敏电阻的暗电阻和灵敏度都要下降，温度的变化也会影响光谱特性曲线。硫化铅光敏电阻等光电器件随着温度的升高光谱响应的峰值将向短波方向移动，所以红外探测器往往采取制冷措施。 2．光敏二极管和光敏三极管 ⑴ 光敏二极管 半导体光敏二极管与普通二极管相比，有许多共同之处，它们都有一个PN结，均属单向导电性的非线性元件。光敏二极管一般在负偏压情况下使用，它的光照特性是线性的，所以适合检测等方面的应用。 光敏二极管在没有光照射时，反向电阻很大，反向电流(暗电流)很小(处于载止状态)。受光照射时，结区产生电子 — 空穴对，在结电场的作用下，电子向N区运动、空穴向P区运动而形成光电流,光敏二极管的光电流I与照度之间呈线性关系。 ⑵光敏三极管的结构与原理 光敏三极管是一种相当于在基极和集电极之间接有光电二极管的普通三极管。在正常工作情况下，此二极管应反向偏置。因此，不管是P-N-P还是N-P-N型光敏三极管，一般用基极 — 集电极结作为受光结。当集电极加上相对于发射极为正电压且基极开路时，基极 — 集电极结处于反向偏压下，它的工作机理完全与反偏压的光敏二极管相同。这里，入射光子在基区及收集区被吸收而产生电子 — 空穴对，形成光生电压。由此产生的光生电流由基极进入发射极，从而在集电极回路中得到一个放大了的信号电流。因此，从这点可以更明确地说，光敏三极管是一种相当于将基极集电极光敏二极管的电流加以放大的普通晶体管放大器。 ⑶光敏三极管的光谱特性 与光敏电阻类似，光敏三极管也存在最佳灵敏度的峰值波长。硅管的峰值波长约为900nm，锗管的峰值波长约为1500nm。由于锗管的暗电流比硅管大，因此锗管的性能较差。故在可见光或探测赤热状态物体时，一般都选用硅管；但对红外线进行探测时，则采用锗管较合适。 ⑷光敏三极管的伏安特性 光敏三极管在不同的照度下的伏安特性与一般晶体管在不同的基极电流时的输出特性类似。因此，只要将入射的强度看作是三极管的基极电流Ib，就可 将光敏三极管看成一般