[集成电路 哈工大]微电子工艺(2) - PRINT.pdf

微电子工艺 第3章外延 (Epitaxy) 1 第3章 外延 3.1 概述 3.2 气相外延 3.3 分子束外延 3.4 其它外延 3.5 外延层缺陷及检测 2 3.1 概述 3.1.1外延概念  在微电子工艺中，外延 (epitaxy)是指在单晶衬底 上，用物理的或化学的方法，按衬底晶向排列（生 长）单晶膜的工艺过程。  新排列的晶体称为外延层，有外延层的硅片称为 （硅）外延片。  外延是在晶体上生长晶体，生长出的晶体的晶向与 衬底晶向相同，掺杂类型、电阻率、材料可不同。 +  记为：n/n -Si ，n/p/-Si ，GaAs/Si 。 3 3.1.1外延概念  外延生长时掺入杂质的类型、浓度、材料都 可以与衬底不同，增加了芯片工艺的灵活性。  多次外延工艺得到多层不同掺杂类型、不同 杂质含量、不同厚度，甚至不同材料的外延 层。 4 气相外延工艺成熟，可很好的控制 薄膜厚度，杂质浓度和晶格的完整 3.1.3 3.1.2 外延工艺种类性，在硅工艺中一直占主导地位  按工艺方法划分：气相外延（VPE)，液相外延(LVP)， 固相外延 (SPE)，分子束外延（MBE)  按材料划分：同质外延和异质外延  按温度划分：高温外延 (1000℃ 以上)；低温外延 (1000℃ 以下)；变温外延--先低温下成核，再高温下 生长外延层  按电阻率高低划分：正外延--低阻衬底上外延高阻层； 反外延--高阻衬底上外延低阻层  按外延层结构分类: 普通外延，选择外延，多层外延  其它划分方法：按结构划分；按外延层厚度划分等 5  同质外延又称为均匀外延，是外延层与衬底材料相同 的外延。  异质外延也称为非均匀外延，外延层与衬底材料不相 同，甚至物理结构也与衬底完全不同。GaAs/Si 、 SOI （SOS）等材料就可通过异质外延工艺获得。 异质外延的相容性  衬底与外延层不发生化学反应，不发生大量的溶解现象；  衬底与外延层热力学参数相匹配，即热膨胀系数接近。以 避免外延层由生长温度冷却至室温时，产生残余热应力， 界面位错，甚至外延层破裂 ;  衬底与外延层晶格参数相匹配，即晶体结构，晶格常数接 近，以避免晶格参数不匹配引起的外延层与衬底接触的界 面晶格缺陷多和应力大的现象。 6 晶格失配率 a −a f = 100%