LED结构及原理讲述.ppt

水平型芯片性能介绍 水平型产品以普瑞芯片为代表，芯片的主要特点是： 光效一般：最高在 100 lm\w左右； 电压高：蓝光在3.4~4V； 热阻高：使用蓝宝石衬底导热性差。芯片本身的热阻在 4~6 ‘C/W; 亮度一般：由于采用水平结构，电流横向动，电流密度不均，容易局 部烧坏；为弥补这一缺陷，在芯片的上表面做ITO.ITO将以 减少出光为代价。同一尺寸芯片，发光面窄，亮度低。 光利用率低：65%左右的光从正面发出，35%的光从侧面发出，靠反射来 达到出光，利用率低。 唯一的优点就是：便于集成封装。不过，它也是缺点，由于没解决好散 热，所以集成封装只有加速它的衰减，不可取。 第三十页，编辑于星期三：一点 三分。 垂直芯片的制成 第三十一页，编辑于星期三：一点 三分。 垂直芯片剖析 第三十二页，编辑于星期三：一点 三分。 垂直LED制造的方法 制造垂直结构LED芯片有两种基本方法： 一、剥离生长衬底； 二、不剥离生长衬底 。 其中生长在砷化镓生长衬底上的垂直结构GaP基LED芯片有两种结构： 一、不剥离导电砷化镓生长衬底：在导电砷化镓生长衬底上层 迭导电DBR反射层，生长 GaP 基LED外延层在导电DBR反 射层上。 　二、剥离砷化镓生长衬底：层迭反射层在GaP基LED外延层上， 键合导电支持衬底，剥离砷化镓衬底。导电支持衬底包括， 砷化镓衬底，磷化镓衬底，硅衬底，金属及合金等。  第三十三页，编辑于星期三：一点 三分。 第三十四页，编辑于星期三：一点 三分。 第三十五页，编辑于星期三：一点 三分。 四元DBR材料 第三十六页，编辑于星期三：一点 三分。 MQW LED器件结构示意图 第三十七页，编辑于星期三：一点 三分。 第三十八页，编辑于星期三：一点 三分。 第三十九页，编辑于星期三：一点 三分。 第四十页，编辑于星期三：一点 三分。 第四十一页，编辑于星期三：一点 三分。 第四十二页，编辑于星期三：一点 三分。 第四十三页，编辑于星期三：一点 三分。 第四十四页，编辑于星期三：一点 三分。 第四十五页，编辑于星期三：一点 三分。 第四十六页，编辑于星期三：一点 三分。 第四十七页，编辑于星期三：一点 三分。 第四十八页，编辑于星期三：一点 三分。 第四十九页，编辑于星期三：一点 三分。 第五十页，编辑于星期三：一点 三分。 第五十一页，编辑于星期三：一点 三分。 第一页，编辑于星期三：一点 三分。 也是翻过来top-down，InP为基板，1.35eV,也会吸可见光，但图中为红外LED。 如何看出红外：InGaAsP：1.33-1.5eV，发光层是narrow bandgap材料，上下2个InP都是large bandgap材料，标准的双异质结，无需再衬底挖洞，让光出来。 第二页，编辑于星期三：一点 三分。 没有翻过来，没有用到异质结构，简单的pn型， GaP:N是发光层，GaP:简介带隙，效率不高，2.26eV，接近绿光。 第三页，编辑于星期三：一点 三分。 边射型LED,红光结构，双异质结，发光层为narrow bandgap材料，夹在2个large bandgap材料之间， 边射型发光不会太强，大部分光被基板吸掉。（1980年以前） 第四页，编辑于星期三：一点 三分。 高亮度可见光LED 四元化合物半导体 制作方法：n-GaAs做基板，Si较少用，会有晶格不匹配问题；n-AlInP中掺铝，带隙扩大，发光层是MQW结构，p-AlGaP（MgII族），II族元素掺入ⅢⅤ族元素中，形成p型半导体； 两边为为大bandgap材料， 第五页，编辑于星期三：一点 三分。 蓝绿光LED通常用2种基板：蓝宝石（有杂质时呈现蓝色，无杂质时是透明的），其bandgap很大，因此可见光不会被它吸收掉。 制作方法：在外延生长之前，需使用一项非常重要的技术，缓冲层技术（buffer layer），通常要在约500度低温生长，而非1000度以上高温。这一层质量并不好，但作用很重要。再长一层n型GaN，随后是MQW结构做发光层，再长一层p型GaN, 再接上电极（contact）， N型电极不能接在下面，必须有两个front contact，原因？ 第六页，编辑于星期三：一点 三分。 制造过程 结构特点（电极） 好处是什么 第七页，编辑于星期三：一点 三分。 不用牺牲一部分发光区域，SiC基板导电。 有什么问题 第八页，编辑于星期三：一点 三分。 早期红黄光L