模拟电子技术习题解答3.pptxVIP

习题(xítí)解答三;第三章 多级放大(fàngdà)电路;3.6 图P3.6所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，rbb′=100Ω，UBEQ≈0.7。试计算RW滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流IEQ，以及(yǐjí)动态参数Ad和Ri。 ;解：RW滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流分析(fēnxī)如下： ;第二章 基本(jīběn)放大电路;2.9解：(1);2.10解：由于(yóuyú);2.11电路如图P2.11所示，晶体管β=100，rbb’=100Ω。 (1)求电路的Q点、Au、Ri和Ro； (2)若改用β=200的晶体管，则Q点如何变化？ (3)若电容(diànróng)Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？;动态分析：; (2) β=200时，;2.12 电路(diànlù)如图P2.12所示，晶体管的β=80，rbe=1kΩ。 (1)求出Q点； (2)分别求出RL=∞和RL=3kΩ时电路的Au、Ri和Ro ;2.13 电路(diànlù)如图P2.13 所示，晶体管的β=60 , rbb’=100Ω;(2)设Us = 10mV （有效值），则;第一章 常用(chánɡ yònɡ)半导体器件;二、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是 。 A. ISeU B. C. （3）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向(fǎn xiànɡ)截止 C.反向击穿 （4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （5）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管;1.8现测得放大电路中两只管子两个(liǎnɡ ɡè)电极的电流如图P1.8所示。分别求另一电极的电流，标出其方向，并在圆圈中画出管子，且分别求出它们的电流放大系数β。;1.9 测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们(tā men)是硅管还是锗管。;1.12分别判断(pànduàn)图Pl.12 所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。;内容(nèiróng)总结