【智慧芽】第三代半导体GaN技术洞察报告（发布版）.docxVIP

第三代半导体-氮化镓(GaN) 技术洞察报告 2021 insight of Innovation in Wide bandgap semiconductor(GaN) industry PAGE PAGE 2 氮化镓技术概况 技术简介 技术发展现状 技术创新概况 氮化镓（ 氮化镓（GaN）简介 氮化镓材料定义: 氮化镓（GaN）主要是由人工合成的一种半导体材料，禁带宽度大于2.3eV，也称为宽禁带半导体材料 氮化镓材料为第三代半导体材料的典型代表，是研制微电子器件、光电子器件的新型材料 第三代半导体氮化镓（GaN） 第三代半导体氮化镓（GaN） 碳化硅（SiC） 第二代半导体砷化镓（GaAs） 磷化铟（InP） 宽禁带、高击穿电场强度和高热导率，具有可见光至紫外光的发光特性。适用于半导体照明、高压、高频、大功率领域 2.3 1.4 1.12  第一代半导体 产业链成熟、成本低，适用 于低压、低频、中功率场合， 产业链成熟、成本低，适用 于低压、低频、中功率场合， 是目前半导体器件和集成电 路主要制造材料 高频性能较好，广泛应用于卫星通信、移动通信和GPS导航等领域。但资源稀缺，有毒性，对环境危害较大 氮化镓(GaN)技术及产业链已初步形成，相关器件快速发展 氮化镓(GaN)技术及产业链已初步形成，相关器件快速发展 PAGE PAGE 4 氮化镓单晶衬底 氮化镓单晶衬底 器件芯片设计+制造+封测 芯片的应用场景 产业范 畴 发光二极管LED p-电极 p-GaN 发光层 n-电极 氮化镓基FET 氮化镓肖特基二极管 显示 汽车 手机 军工雷达 快充 智能电网 5G基站 紫外杀菌 衬底 n-GaN 萌芽阶段 萌芽阶段 1969年 初始阶段 1986年-1994年 飞速发展阶段 1998年- 2007年 LED大规模商用化、功率/射频器件快速发展 2008年-至今 技术发 展 日本科学家Maruska等人采用氢化物气相沉积技术在蓝宝石衬底表面沉积出了氮化镓薄膜，但质量较差 1、1986年，赤崎勇和天野浩采用MOCVD法获得了高质量GaN薄膜，并于1989年在全球首次研制出了PN结蓝光LED 2、 1992年，中村修二以双异质结构代替PN结，研制出高效率GaN蓝光LED 1、1998年，美国Cree公司开发首个碳化硅基GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT) US6486502B1 2、LED照明商业化 1、2008年，美国Cree公司推出首个氮化镓射频器件 2、2009年，EPC公司推出 第一款商用增强型氮化镓 （eGaN）晶体管 3、2010年，IR公司推出商用GaN集成功率器件 1、2014年，英飞凌收购IR公司 2、2019年，美国Cree公 司陆续出售LED相关业务， 聚焦GaN射频器件和SiC 电力电子器件 氮化镓(GaN)应用范围广 氮化镓(GaN)应用范围广 PAGE PAGE 5 ——在功率器件、射频器件、显示领域应用广泛，支撑新基建快速发展 支撑“新基建”建设的关键核心器件：氮化镓是目前能同时实现高频、高效、大功率代表性材料，下游应用切中“新基建”中 5G 基站、特高压、新能源充电桩、城际高铁等主要领域 高效电能转换，助力“碳达峰，碳中和”目标实现：第三代半导体可助力实现光伏、风电（电能生产），直流特高压输电（电能传输），新能源汽车、工业电源、机车牵引、消费电源（电能使用）等领域的电能高效转换，推动能源绿色低碳发展 数据来源：苏州晶湛半导体 全球氮化镓（GaN）产业规模呈爆发式增长 全球氮化镓（GaN）产业规模呈爆发式增长 PAGE PAGE 6 2020-2026 氮化镓射频器件市场规模及预测数据来源：Yole2020年GaN射频器件整体规模为8.91亿美元 2020-2026 氮化镓射频器件市场规模及预测 数据来源：Yole 2020年GaN射频器件整体规模为8.91亿美元 预计到2026年增长至24亿美元 复合年均增长率（CAGR）为18% 2020-2026 氮化镓功率器件市场规模及预测 数据来源：Yole 2020年GaN功率器件整体规模为 0.46亿美元 受消费类电子、电信及数据通信、电动汽车应用的驱动，预计到 2026年增长至 11亿美元 复合年均增长率（CAGR）为 70% 氮化镓（GaN）产业政策环境 氮化镓（GaN）产业政策环境 PAGE PAGE 7 2004年 开始对第三代半导体材料领域的研究进行部署中国 开始对第三代半导体材料领域的研究进行部署 2013年 2016年 2019年 2021年 ① 启动电子复兴计划，投入20亿美元重点开发微系统材料、电子器件集成架构等②启动 CIRCUITS 计划，投资3000万美元资助 ① 启动电子复兴计划，投入2