DS1302与超级电容分析和总结.pdfVIP

Dallas 半导体公司的 DS1302 涓流充电时钟芯片是一个可编程 3 线串行接口时钟芯片， 可用超级电容或可充电电池备份系统的时间和日期， 还提供 31 字节的非易失 SRAM 用于数 据存储。由 DS1302 和超级电容构成的电源备份电路如图 1 所示 : 图一 DS1302 的 VCC2 接主电源， VCC1 接超级电容正极。 针对不同的电源备份系统， 如可充电 的镍氢电池、镍镉电池，还有容量不同的超级电容， DS1302 专门提供了可编程涓流充电电 路，以适应不同的充电电流要求，充电电路如图 2 所示 : 图二 通过设置电路内的 DS 和 RS 控制位，可设置不同的最大充电电流 IMAX 。例如控制字是 ，则表示选通了一只二极管， 同时选通阻值为 2k Ω的 R1 ，IMAX 计算公式如式 1 ， 式中的 VDrop 是二极管的电压降。 IMAX=(VCC2-n ·VDrop)/R n=1,2 (1) 表 1 列出了 IMAX 计算值，对应 VCC2 的值是 4.5V 、5.0V 、5.5V ，有 1 只二极管和 2 只二 极管两种情况，电阻值为 2k Ω、42k Ω 和 82k Ω。 充电过程 作为电源备份的元件，超级电容的充、放电特性是关注的重点，结合 DS1302 的可编程充 电电路，在下面给出充电时电压 V(t) 及电流 I(t) 与时间的函数及放电时电压 V(t) 与时间的函 数。 超级电容端电压与时间的函数可表示为式 2 。 V(t)=VMAX [1-e(-t/RC)] (2) V(t) 为超级电容端电压， VMAX 等于 VCC2 减去 n ·VDrop ，R 为内部涓流充电电阻， C 是超 级电容的容量。超级电容两端电压充电到 VMAX 的 95% 所需时间见表 2。 充电电流与时间的函数可表示为式 3 。 I(t)=VMAX/R ·e(-t/RC) (3) I(t) 为充电电流。 超级电容充电特性曲线如图 3 所示 : 图三 图四 本文介绍了实时时钟 DS1302 与超级电容的应用实 例，有助于设计人员使用超级电容完成时钟保持、数 据保持等电路的设计。 放电过程 要知道 DS1302 使用超级电容放电的时间，则需要了解 DS1302 的特性参数 ICC1T( 时间保持电流 ) ，ICC1T 呈线性变化，这意味着 DS1302 可以表示为阻性 负载 RL ，超级电容通过此负载来放电。根据 DS1302 数据手册，在 VCC1 为 2.5V 时， ICC1T 为 0.3 μA，这样 RL 约为 8.3M Ω。在不考虑超级电容自放电影 响的情况下，超级电容放电特性可表示为式 4 。 V(t)=VMAX ·e(-t/RLC) (4) RL 为 DS1302 负载阻抗。电容放电至 2V ，根据上面公式计算的放电时间值见 表 3 。 超级电容放电电压特性曲线见图 4: