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芯片制造基础知识会计学第2页/共102页第1部分晶园制作1.1 多晶生成第3页/共102页Poly Silicon Creation 1目前半导体制程所使用的主要原料就是晶园(Wafer)，它的主要成分为硅(Si)。富含硅的物质非常普遍，就是沙子(Sand)，它的主要成分为二氧化硅(SiO2)。沙子经过初步的提炼，获得具有一定纯度的硅，再经过一些步骤提高硅的纯度，半导体制程所使用的硅需要非常高的纯度。接着就是生成多晶硅(Poly Silicon)。第4页/共102页Poly Silicon Creation 2采用一种叫做Trichlorosilane的物质(SiHCl3)作为溶剂，氢气作为反应环境，在钽(tantalum)电热探针指引下，经过初步提炼的硅形成晶体。这种过程需要多次，中途还会用到氢氟酸(HF)这样剧毒的化学药品，硅的纯度也随着这个过程而进一步被提高。最后生成多晶硅的硅锭。第5页/共102页Poly Silicon Creation 31.2 单晶制作第6页/共102页Crystal Pulling 1多晶硅硅锭中晶体的晶向是杂乱无章的，如果使用它来制作半导体器件，其电学特性将非常糟糕，所以必须把多晶硅制作成单晶硅，这个过程可以形象地称作拉单晶(Crystal Pulling)。将高纯度的多晶硅碾碎，放入石英坩埚，加高温到1400°C，注意反应的环境是高纯度的惰性气体氩(Ar)。精确的控制温度，单晶硅就随着晶种被拉出来了。单晶 分类 第7页/共102页单晶分为 直拉单晶和区熔单晶两种直拉单晶由多晶碎料在石英锅内融化后由子晶拉制而成。集成电路用得芯片多由这种方法拉制的单晶加工而成。区熔单晶由多晶棒悬空，经过电圈加热至融化状态，接触子晶而形成单晶。这种单晶特点电阻高，纯度高，多用于IGBT等放大电路第8页/共102页Crystal Pulling 2第9页/共102页Crystal Pulling 3制作完毕的单晶硅按照半径的大小来区分，目前正在使用的有：150mm(6’)200mm(8’)300mm(12’)正在发展的有：400mm(16’)1.3 晶园切片第10页/共102页Wafer Slicing单晶硅具有统一的晶向，在把单晶硅切割成单个晶园(Wafer)的时候，首先要在单晶硅锭上做个记号来标识这个晶向。通常标识该晶向的记号就是所谓Flat或者Notch (平边、凹槽)。第11页/共102页6’ Wafer6’的晶园通常采用所谓“平边”的方法来标识晶向。8’ Wafer8’的晶园采用Notch。12’, 16’,…… Wafer采用Notch，为什么呢？——猜想。1.4 晶园抛光第12页/共102页Lapping Polishing切片结束之后，真正成型的晶园诞生。此时需要对晶园的表面进行一些处理——抛光。主要的步骤有以下几步：机械研磨(使用氧化铝颗粒)蚀刻清洗(使用硝酸、醋酸、氢氧化钠)Wafer抛光(化学机械研磨，使用硅土粉)表面清洗(氨水、过氧化氢、去离子水)1.5 晶园外延生长第13页/共102页Wafer Epitaxial Processing经过抛光，晶园表面变得非常平整，但是这个时候还不能交付使用。半导体工业使用的晶园并不是纯粹的硅晶园，而是经过掺杂了的N型或者P型硅晶园。这是一套非常复杂的工艺，用到很多不同种类的化学药品。做完这一步，晶园才可以交付到半导体芯片制作工厂。第14页/共102页第2部分芯片制作2.1 氧化层生长第15页/共102页Oxidation Layering氧化层生长就是在晶园表面生长出一层二氧化硅。这个反应需要在1000°C左右的高纯氧气环境中进行。2.2 有关Photo第16页/共102页什么是Photo？所谓Photo就是照相，将光罩的图形传送到晶园上面去。Photo的机器成本在半导制程中，Photo是非常重要的一个环节，从整个半导体芯片制造工厂的机器成本来看，有近一半都来自Photo。Photo是半导体制程最主要的瓶颈Photo制约了半导体器件——线宽。第17页/共102页光罩制作Mask CreationPhoto的工作和照相类似，它所使用的“底片”就是光罩，即Mask，通常也被称为Reticle。光罩就是一块玻璃板，上面由铬(Cr)组成图形，例如线条、孔等等。制作光罩需要用到Laser Writer或者E-beam这样的机器，非常昂贵(这一部分不算入Photo的机台成本)，一般需要专门的光罩厂来制作。光罩上的图形信息由CAD直接给出，这些CAD的信息(即半导体芯片的设计)由Design House提供。2.3 Photo的具体步骤第18页/共102页光刻胶涂布Photo Resist Coating 曝光Stepper/Scanner Exposure显影