电子封装用SiCp_Al复合材料开发可行性研究报告.pdfVIP

电子封装用 SiCp//Al 复合材料开发与应用 可行性报告 一.项目的主要内容 铝碳化硅（ AlSiC ）电子封装材料是将金属的高导热性与陶瓷的低热膨胀性 相结合，能满足多功能特性及设计要求，具有高导热、低膨胀、高刚度、低密 度、低成本等综合优异性能的电子封装材料。在国际上，铝碳化硅属于微电子 封装材料的第三代产品，是当今西方国家芯片封装的最新型材料。该复合材料 的热膨胀系数比无氧铜低一半以上，且在一定范围内精确可控，比重仅为无氧 铜的三分之一； 与第一代 kovar 封装合金相比，导热率可提高十倍， 减重三分之 二；与第二代封装金属 W/Cu 、Mo/Cu 相比，分别减重约 83%和 71% ，且成本 低得多。另外， SiCp/Al 电子封装材料具备优异的尺寸稳定性，与其他封装金属 相比，机械加工及钎焊引起的畸变最小，具有净成型、加工能力，可焊性也较 好。自国际开发此类技术迄今十年多来，其应用范围从军工领域逐步向民用电 子器材领域扩展，目前已占据整个电子封装材料市场近乎 50% 的使用覆盖面。 由于此项技术产品具有重要的军工价值，被欧美国家视为导弹、火箭和卫星制 造等方面的尖端基础材料，始终作为高度机密技术加以封锁，该产品早已是我 国急需的军工和民用市场上的空白高技术产品。项目组在前期研究基础上将进 一步优化自创的无压渗透法工艺中温度、摸具、气氛、时间等工艺参数；研究 不同基体成分制备工艺参数，增强相颗粒尺寸、形状、比例等对该材料的导热 性及膨胀系数影响； 研究新材料镀镍及镀金工艺包括镀槽成分、酸洗工艺、退 火工艺等，形成一套完整的铝碳化硅（ AlSiC ）电子封装零件制备工艺，制备出 不同性能的电子封装材料和具体零件，为铝碳化硅（ AlSiC ）电子封装材料的产 业化奠定基础。 二.相关技术领域国内外发展现状及趋势 以 Kovar 为代表的第一代封装合金解决了热膨胀系数与芯片及陶瓷基 片的匹配问题，但导热率却很低（比 Cu 低 20 倍）。以 W/Cu 、 Mo/Cu 为代表的 第二代封装合金， 可以同时实现高导热与低膨胀， 但它们的比重却很大 （比纯铜 还高），而且制造工艺复杂，成本高，因此大大制约了它们在轻量化要求中当代 的使用。 特别是限制了在航空航天电子系统只的大量使用。 近十年来问世的高体 积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料（ SiCp/Al ）就可望替代第一、第二代专用 电子封装合金，满足低膨胀，高导热、轻质的要求。 目前国主要 电子封装材料性能见下表 1：其中 Al/SiCp 复合材料数据 是本课题组所得数据。 表 1 电子封装应用 SiCp/Al 复合材料性能 热导率 密度 (g/ 材料 CTE(ppm/K) (W/mK) cm3) W-Cu 合金 6.5-7.2 150-180 16.1-16.4 Al/SiCp 复合 8-12 120-160 2.0-3.5 材料 KOVAR合金 6.2-7.2 15-22 8.15-8.19 膨胀系数热导率是