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专题17 选修3 物质结构与性质
1.(2021·广东汕头市高三二模)光刻胶是微电子技术中芯片微细图形加工的关键材料之一,其国产化势在必行。根据显影原理,光刻胶可分为正、负型胶,原理如图1.回答下列问题:
(1)光刻胶常含C、N等元素,在基态C原子中,核外存在_______对自旋方向相反的电子,N的3个2p轨道的取向为_______。
(2)近年来光刻胶的发展趋势是应用含有多羟基的二苯甲酮类化合物,如:,其C的杂化方式为_______。
(3)紫外负型光刻胶常含有—N3,形成的阴离子的等电子体是________(填化学式,任写一种),其空间构型为_______。
(4)某光刻胶受紫外光照射后,发生反应如下,用稀碱水作为溶剂浸泡。根据茚羧酸结构分析该材料为_______型光刻胶(填“正”或“负”),理由是_______。
(5)与K+能形成图2中的超分子加合物,该晶胞中K+的数目为_______。
【答案】(1)2 2px、2py、2pz,相互垂直 (2) sp2 (3) N2O、CO2、CS2(任写一种) 直线形 (4)正 茚羧酸中羧基能与碱反应而溶解 (5) 12
【解析】(1)C原子电子排布式为:1s22s22p2,同一轨道内两个电子自旋方向相反,故1s和2s轨道中电子自旋方向相反,2p能级有3个原子轨道,两个电子分别填充在2个轨道上且自旋方向相同,故此处填2;2p能级有3个原子轨道,可表示为2px、2py、2pz,三个等价轨道取向相互垂直,故此处填:2px、2py、2pz,相互垂直;
(2)苯环碳原子、羰基碳原子周围均含3个σ电子对,不含孤对电子,故其价层电子对为3对,对应杂化方式为sp2,故此处填sp2;
(3)可将中1个N原子换成1个O原子,即得到其等电子体N2O,另外N2O中2个N可换成1个C和1个O,得到等电子体CO2,同时也可采用同族代换法,将CO2中O换成S得到等电子体CS2,故此处填:N2O、CO2、CS2(任写一种);其空间构型与CO2相似,为直线形;
(4)由图示原理知,正型光刻胶曝光部分能溶于相应溶剂,而负型光刻胶不可以,茚羧酸中羧基能与碱反应而溶解,故属于正型光刻胶,故此处填:正,理由是茚羧酸中羧基能与碱反应而溶解;
(5)由图示知,K+有12个位于棱上,9个位于晶胞体内(其中1个位于体心),故该晶胞中含有K+个数=12×+9=12个。
2.(2021·山东日照市高三三模)硼酸(H3BO3)是玻璃工业、电子元件行业的重要原料。回答下列问题:
(1)与B、O同周期,第一电离能介于二者之间的有___________(填元素符号)。
(2)硼酸晶体结构为平面层状结构(如图I),四硼酸根为立体结构(如图Ⅱ)。
①硼酸为___________晶体;晶体中各层之间的作用力为___________。
②四硼酸根中硼原子的杂化方式为___________。
(3)工业上曾用碳氨法制备硼酸,先用MgO·B2O3与NH4HCO3、H2O制得(NH4)H2BO3和MgCO3,然后再将(NH4)H2BO3脱NH3生成H3BO3。
①NH与CO的空间构型:NH___________:CO_______。
②MgO晶体结构属于NaC1型(如图),图中表示Mg2+的为___________(填“大球”或“小球”),其配位数是___________;MgO晶胞参数为a pm,则MgO晶胞的密度为___________g·cm-3(NA表示阿伏加德罗常数的值,用含a、NA的式子表示)。
【答案】(1)Be、C (2) 分子 范德华力 sp2、sp3 (3) 正四面体 平面正三角形 小球 6
【解析】(1)同周期,从左向右第一电离能增大,则第二周期元素中,第一电离能介于B和O之间的元素有Be、C。
(2)①硼酸晶体中存在H3BO3分子,因此,是分子晶体,在硼酸[B(OH)3]分子中,硼原子与氧原子形成共价健、羟基中氢原子和氧原子间形成共价键,硼酸分子与硼酸分子间形成氢键、范德华力。
②四硼酸根的中的B必含有配位键,也就是说,四硼酸根的中的B是sp3杂化。
(3) ①铵根:中心原子为N,价层电子对为对数 (5-1×4-1)÷2+4=4,所以氮原子是sp3杂化,VSEPR模型是正四面体,考虑到有一个氢是以离子形式发生配位,每两个原子之间的作用力不一样,所以铵根的构型是四面体;碳酸根:中心原子是C,价层电子对对数为 (4-2×3+2)÷2+3=3,所以碳原子是sp2杂化,空间构型是平面正三角形。
②MgO晶体结构属于NaC1型(如图),由氯化钠的晶胞结构可知,氯离子和钠离子的配位数都是6;所以在MgO晶胞中Mg和O的配位数也都是6,由
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