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- 2022-03-10 发布于北京
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1;;3;二、为什么提出动态存储单元
SRAM优点:
SRAM单元电路能长久保持信息,速度快工作稳定可靠,存储容量小。
缺点:功耗大,集成度低,价格高。
DRAM单元电路恰好克服了这种缺点。;DRAM优点:
①高位密度。
相对SRAM,一个DRAM的存储位电路可以用3-4个晶体管组成,这样,在一个半导体芯片上,如要制造DRAM,就可容纳更多的基本存储电路,即位密度得到显著提高。于是,如果用动态RAM来组成指定容量的存储模块,所用的器件要比用其他类型的器件大大减少。
②低功耗特性。
DRAM的功耗要比静态RAM的低得多。这个特性减少了系统的功率要求,也降低了系统的价格。
;③动态RAM的价格低廉。
如果按“位”来计算,动态RAM比静态RAM更便宜得多。不过,动态RAM需要较多的支持电路,所以,如果要建立的存储系统容量比较小,那么,几乎谈不上什么优点。但是,在存储容量比较大时,动态RAM价格低廉的优点会很显著。
;7;8;3.3 DRAM存储器;10;11;12;13;动态存储器的刷新(Refresh);3、刷新过程
以行为单位,读出一行中全部单元的数据,经信号放大后同时全部写回;
行的含义;
读出时一定断开存储器的输出。
4、刷新方式:各芯片同时,片内按行
集中式
分散式
异步式;
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