数学物理方法课件第三章.pptVIP

* 3.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 3.3 结型场效应管（JFET） *3.4 砷化镓金属-半导体场效应管 3.5 各种放大器件电路性能比较 3.2 MOSFET放大电路 P沟道 耗尽型 P沟道 P沟道 N沟道 增强型 N沟道 N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 场效应管的分类： 3.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 3.1.1 N沟道增强型MOSFET 3.1.5 MOSFET的主要参数 3.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 3.1.3 P沟道MOSFET 3.1.4 沟道长度调制效应 3.1.1 N沟道增强型MOSFET 1. 结构（N沟道） L ：沟道长度 W ：沟道宽度 tox ：绝缘层厚度 通常 W L 3.1.1 N沟道增强型MOSFET 剖面图 1. 结构（N沟道） 符号 3.1.1 N沟道增强型MOSFET 2. 工作原理 （1）VGS对沟道的控制作用 当VGS≤0时 无导电沟道， d、s间加电压时，也无电流产生。 当0VGS VT 时 产生电场，但未形成导电沟道（感生沟道），d、s间加电压后，没有电流产生。 当VGS VT 时 在电场作用下产生导电沟道，d、s间加电压后，将有电流产生。 VGS越大，导电沟道越厚 VT 称为开启电压 2. 工作原理 （2）VDS对沟道的控制作用 ?靠近漏极d处的电位升高 ?电场强度减小 ?沟道变薄 当VGS一定（VGS VT ）时， VDS? ?ID? ?沟道电位梯度? 整个沟道呈楔形分布 当VGS一定（VGS VT ）时， VDS? ?ID? ?沟道电位梯度? 当VDS增加到使VGD=VT 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 2. 工作原理 （2）VDS对沟道的控制作用 在预夹断处：VGD=VGS-VDS =VT 预夹断后，VDS? ?夹断区延长 ?沟道电阻? ?ID基本不变 2. 工作原理 （2）VDS对沟道的控制作用 在夹断处A：VAS=VGS-VT 2. 工作原理 （3） VDS和VGS同时作用时 VDS一定，VGS变化时 给定一个vGS ，就有一条不同的 iD – vDS 曲线。 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 ① 截止区 当vGS＜VT时，导电沟道尚未形成，iD＝0，为截止工作状态。 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 ② 可变电阻区 vDS≤（vGS－VT） 由于vDS较小，可近似为 rdso是一个受vGS控制的可变电阻 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 ② 可变电阻区 其中 Kn为电导常数，单位：mA/V2 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 ③ 饱和区 （恒流区又称放大区） vGS VT ，且vDS≥（vGS－VT） 是vGS＝2VT时的iD V-I 特性： 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （2）转移特性 3.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 1. 结构和工作原理（N沟道） 二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子 可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流 3.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 2. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （N沟道增强型） 3.1.3 P沟道MOSFET 3.1.5 MOSFET的主要参数 一、直流参数 NMOS增强型 1. 开启电压VT （增强型参数） 2. 夹断电压VP （耗尽型参数） 3. 饱和漏电流IDSS （耗尽型参数） 4. 直流输入电阻RGS （109Ω～1015Ω ） 二、交流参数 1. 输出电阻rds 当不考虑沟道调制效应时，?＝0，rds→∞ 3.1.5 MOSFET的主要参数 2. 低频互导gm 二、交流参数 考虑到 则 其中 3.2 MOSFET放大电路 3.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 2. 图解分析 3. 小信号模型分析 3.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 （1）简单的共源极放大电路（N沟道） 直流通路 共源极放大电路 3.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 （1）简单的共源极放大电路（N沟道） 假设工作在饱和区，即 验证是否满足 如果不满足，则说明假设错误 须满足VGS VT ，否则工作在截止区 再假设