第九章-半导体存储器.pptxVIP

会计学;9.1　概　述 ;　　 主要由与阵列、或阵列、输出缓冲级等部分组成，为大规模组合逻辑电路。;主要要求： ;按数据写入方式不同分;9.2.1 ROM 的电路结构 ;1. 电路组成 ;1. 电路组成 ;2. 读数 ;;3. 输出逻辑表达式 ;;　　 PROM 出厂时，全部熔丝都连通，全部存储单元相当于存储 1。用户在编程时，可根据要求，借助编程工具将不需要存储单元中的熔丝烧断即可。 ;　　由于 PROM 中的地址译码器为固定的与阵 列，输出为输入地址变量的全部最小项。存储 矩阵为可编程的或阵列，它输出的为相应的输 入最小项的和，为标准与-或表达式。而任何 组合逻辑函数都可变换为标准与-或式，因此， 用 PROM 可实现组合逻辑函数。 ;;;用一个特殊的浮栅 MOS 管替代熔丝。;　　 EPROM 中的存储单元采用叠栅 MOS 管技术。它有两个重叠的栅极，其中一个没有电极且被包围在 SiO2 绝缘层中，与外部电绝缘，称为浮栅；它的上面还重叠有一个栅极，称为控制栅。控制栅上引出电极G，用于控制 MOS 管的导通与截止。这样的 MOS 管又称为 SIMOS 管。;　　 SIMOS 管在正常的开启电压UGS(th) 作用下能否导通，完全取决于浮栅中是否有电子注入。当浮栅中未注入电子时，在正常的开启电压作用下，SIMOS管导通，等效于熔丝接通，相当于存入信息 1 ；反之，当浮栅中注入电子后，在正常的开启电压作用下，SIMOS 管不导通，等效于熔丝断开，相当于存入信息 0 。;　　 E2PROM中的叠栅MOS管，叠栅与漏区有一个重叠区，并且在重叠部分，浮栅向漏区靠近，使两者之间的绝缘层很薄，可以较容易地通过外加电压对浮栅注入电子和消除电子，就好像形成了一个隧道，因此又称为隧道型叠栅MOS 管。;　　 快闪存储器中的叠栅MOS管，浮栅与源区重叠，并且重叠部分之间的绝缘层更薄；浮栅与源区的重叠部分是采用源区横向扩散工艺形成的，面积更小。所以它在对浮栅注入电子或消除电子时所需的电压更低，速度更快，几乎可以达到随机读写的速度，因此人们称之为闪存。;9.3 随机存取存储器 ;;;9.3.1 RAM 的电路结构和读 / 写过程;9.3.1 RAM 的电路结构和读 / 写过程;;;RAM 与 ROM 的比较 ;9.3.2 RAM 中的存储单元;;;; 二、动态随机存取存储器（DRAM）的存储单元; 二、动态随机存取存储器（DRAM）的存储单元;;; 二、动态随机存取存储器（DRAM）的存储单元;　二、动态随机存取存储器（DRAM）的存储单元;9.3.3 RAM 的扩展 ;RAM的字扩展接法 ;;ROM用于存放固定不变的数据，存储内容不能随意改写。工作时，只能根据地址码读出数据。断电后其数据不会丢失。ROM有固定 ROM(又称掩模 ROM)和可编程 ROM之分。固定 ROM 由制造商在制造芯片时，用掩模技术向芯片写入数据，而可编程 ROM 则由用户向芯片写入数据。可编程 ROM 又分为一次可编程的 PROM 和可重复改写、重复编程的 EPROM 和 E2PROM。EPROM 为电写入紫外擦除型，E2PROM 为电写入电擦除型，后者比前者快捷方便。可编程 ROM 都要用专用的编程器对芯片进行编程。 ;RAM 由存储矩阵、译码器和读/写控制电路组成。它可以读出数据或改写存储的数据，其读、写数据的速度很快。因此，RAM 多用于需要经常更换数据的场合，最典型的应用就是计算机中的内存。但是， RAM 断电后数据将全部丢失。;RAM 有静态 RAM和动态 RAM 之分。静态 RAM(即SRAM)的存储单元为触发器，工作时不需刷新，但存储容量较小。动态 RAM(即DRAM)的存储单元是利用 MOS 管具有极高的输入电阻( 1010 ?)、在栅极电容上可暂存电荷的特点来存储信息的，由于栅极电容存在漏电，因此工作时需要周期性的对存储单元进行刷新。