集成逻辑门门门结构分析三态门应用第三章门电路.pptxVIP

第三章 集成门电路 3.1 数字集成电路的分类各种系列门电路的性能比较数字集成电路型号的命名法3.2 TTL 与非门工作原理TTL与非门的特性与参数集电极开路（OC）门三态门3.3 CMOS 门电路3.1 数字集成电路的分类54/74系列一.按工艺结构区分：54H/74H系列TTL电路54LS/74LS系列HTL电路54AS/74AS系列双极型ECL电路54ALS/74ALS系列IIL电路4000系列CMOS电路54HC/74HC系列1.按工艺区分MOS型NMOS电路54HTC/74HTC系列PMOS电路Bi-CMOS型推拉式输出或CMOS反向器输出2.按输出结构区分OC输出或OD输出三态输出 二、 按集成度分类逻辑门触发器小规模集成电路(SSI-Small Scale Integration)， 每片组件内包含10-100个元件(或10-20个等效门)。 中规模集成电路(MSI-Medium Scale Integration)，每片组件内含100-1000个元件(或20-100个等效门)。 大规模集成电路(LSI-Large Scale Integration)， 每片组件内含1000-100 000个元件(或100-1000个等效门)。 超大规模集成电路(VLSI-Very Large Scale Integration)， 每片组件内含100 000个元件(或1000个以上等效门)。 译码器、 数据选择器 加法器、 计数器、 移位寄存器只读存储器、 随机存取存储器、 微处理器、专用数字信号处理器三.按数字系统设计方法分类1.通用型中规模（MSI），小规模（SSI）集成逻辑件。*2.由软件组态的大规模（LSI ），超大规模（VLSI）集成逻辑器件，如微处理器、单片机、通用和专用数字信号处理器等。*全定制3.专用集成电路ASIC。*半定制PROMPLDPLAPALGALCPLDFPGA各种系列门电路的性能比较开关控制3.6Vucc1高电平下限1.8VVoV1低电平上限0.8VS00V实际开关为晶体二极管、三极管以及场效应管等电子器件VI控制开关S的断、通情况。S断开，VO为高电平；S接通，VO为低电平。 二极管门电路F=ABCF=A+B+C3.2 TTL门电路1.TTL与非门电路多发射极晶体管T1 的等效电路工作原理设：A=0 B=C=1 1V 则： VA = 0.3V VB1 = 0.3+0.7 =1V0.3VA拉电流3.6VB0.3V3.6VCVB2 = 0.3V T3 T4 导通所以：T2 T5 截止A结果：VF = 5－UBE3－UBE4 ? 5－0.7－0.7= 3.6V B DA导通CF = 1设：A = B = C =1 1V2.1V即：VA = VB= VC =3.6VVF =0.3VT1集电结正偏3.6V灌电流3.6VVB1= +UBE5=2.1V0.7+ UBE23.6V输入悬空时相当于1则：T2 T5 饱和VB3=UCE2+UBE5=0.3+0.7=1VT3 导通 ，T4 截止 DA 、DB 、DC截 止VF = 0.3V ， F = 01、电压传输特性Uo(V)A B3.6Uc22.7Ic2CUiBCBC接高电平DEUi0.30.8UT1.8UoffUonAB段截止区 0V≤Ui0.6VUoff----关门电平BC段线形区 0.6Ui1.3VCD段转折区 1.3≤Ui 1.4VUon---开门电平DE段饱和区 1.4V≤UiUT---阈值电压1、电压传输特性Uo(V)A B3.62.7C5V5V1输出UOH,min1输入3VUNHDE1.8VUi0.3UIH,min0.81.8UoffUonUIL,max0.8VUNL0.3V0输入Uoff----关门电平0输出UOL,max0V0VUon---开门电平2、输入负载特性11Ui≤UoffRoff=0.7kΩ1Ui≥UonF1Ron=2kΩR3、输入特性1F1I－I＋～Ui① 输入短路电流IiS 典型值约为-1.5mA。 Ui＞7V后T1的ce结将发生击穿② 输入漏电流IiH Ui＞UT时的Ii 典型值为10μA当Ui-1V时T1的be结可能烧毁4、输出特性T5饱和IL灌电流① 与非门处于开态时，输出低电平灌电流增大，使V5脱离饱和UOL将很快增加为了保证UOL≤0.35V应使IL≤25mA4、输出特性T5截止，T3微饱和，T4导通② 与非门处于关态时，输出高电平拉电流IL＜5mA时T3、V4处于射随器状态IL当IL＞5mA时，T3进入深饱和由于IR5≈IL UOH=UCC-Uces3-Ube4-ILR5负载电流IL≤14mA，允许的最小负载电阻RL约为170Ω 5. 扇入系数和扇出系