半导体制造工艺基础之扩散工艺培训课件.pptVIP

扩 散;本章重点;掺杂：掺杂技术是在高温条件下，将杂质原子以一定的可控量掺入到半导体中，以改变半导体硅片的导电类型或表面杂质浓度。 形成PN结、电阻 磷(P)、砷(As) —— N型硅 硼(B) —— P型硅;扩散和离子注入是半导体掺杂的两种主要方式。 高温扩散：杂质原子通过气相源或掺杂过的氧化物扩散到硅片的表面，这些杂质浓度将从表面到体内单调下降，而杂质分布主要是由高温与扩散时间来决定。 ;扩散工艺的优越性： （1）可以通过对温度、时间等工艺条件的准确调节，来控 制PN???面的深度和晶体管的基区宽度，并能获得均匀平坦 的结面。 （2）可以通过对扩散工艺条件的调节与选择，来控制扩散 层表面的杂质浓度及其杂质分布，以满足不同器件的要求。 （3）与氧化、光刻等技术相组合形成的硅平面工艺有利于改 善晶体管和集成电路的性能。 （4）重复性好，均匀性好，适合与大批量生产。;离子注入：掺杂离子以离子束的形式注入半导体内，杂质浓度在半导体内有个峰值分布，杂质分布主要由离子质量和注入能量决定。 ;掺杂区;6.1 基本扩散工艺;电炉;6.1.1 扩散方程式; (2)填隙式扩散 ;在一定的温度范围内，D可表示为;6.1.2 扩散分布;恒定表面浓度扩散 不能全写公式 t为时间t=0 掺杂浓度为0;图为余误差函数分布;有限源扩散;扩散原理;推进：高温过程，使淀积的杂质穿过晶体，在硅片中形成期望的结深。 此阶段并不向硅片中增加杂质，但是高温下形成的 氧化层会影响推进过程中杂质的扩散，这种由硅表 面氧化引起的杂质浓度改变成为再分布。;杂质移动;横向扩散;6.1.3 扩散层测量;若R0是磨槽所用工具的半径，则可得结深：;方块电阻（薄膜电阻）;第二十四页，共二十八页。;扩散工艺;扩散常见的质量问题;作 业;内容总结