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§4 工艺及器件仿真工具 SILVACO-TCAD 本章将向读者介绍如何使用 SILVACO 公司的 TCAD 工具 ATHENA 来进行工艺仿真以及ATLAS 来进行器件仿真。假定读者已经熟悉了硅器件及电路的制造工艺以及MOSFET 和 BJT 的基本概念。 使用 ATHENA 的 NMOS 工艺仿真 概述 本节介绍用ATHENA 创建一个典型的MOSFET 输入文件所需的基本操作。包括： 创建一个好的仿真网格 演示淀积操作 演示几何刻蚀操作 氧化、扩散、退火以及离子注入 结构操作 保存和加载结构信息 创建一个初始结构 定义初始直角网格 输入 UNIX 命令： deckbuild-an，以便在 deckbuild 交互模式下调用 ATHENA。在短暂的延迟后，deckbuild 主窗口将会出现。如图所示，点击 File 目录下的Empty Document，清空 DECKBUILD 文本窗口； 图 清空文本窗口 在如图所示的文本窗口中键入语句go Athena ； 图 以“go athena”开始 接下来要明确网格。网格中的结点数对仿真的精确度和所需时间有着直接的影响。仿真结构中存在离子注入或者形成 PN 结的区域应该划分更加细致的网格。 为了定义网格，选择Mesh Define 菜单项，如图所示。下面将以在 μm×μm 的方形区域内创建非均匀网格为例介绍网格定义的方法。 图 调用 ATHENA 网格定义菜单 在 μm×μm 的方形区域内创建非均匀网格 在网格定义菜单中，Direction（方向）栏缺省为X；点击Location（位置）栏并输入值 0；点击Spacing（间隔）栏并输入值； 在Comment（注释）栏，键入“Non-Uniform Grid x ”,如图所示； 点击insert 键，参数将会出现在滚动条菜单中； 图 定义网格参数图 点击 Insert 键后 继续插入X 方向的网格线，将第二和第三条 X 方向的网格线分别设为和，间距均为。这样在X 方向的右侧区域内就定义了一个非常精密的网格，用作为NMOS 晶体管的有源区； 接下来，我们继续在Y 轴上建立网格。在Direction 栏中选择Y；点击Location 栏并输入值 0。然后，点击Spacing 栏并输入值； 在网格定义窗口中点击insert 键，将第二、第三和第四条Y 网格线设为、和，间距分别为，和，如图所示。 图 Y 方向上的网格定义 为了预览所定义的网格，在网格定义菜单中选择 View 键,则会显示View Grid 窗口。 最后，点击菜单上的WRITE 键从而在文本窗口中写入网格定义的信息。如图。 图 对产生非均匀网格的行说明 定义初始衬底参数 由网格定义菜单确定的 LINE 语句只是为 ATHENA 仿真结构建立了一个直角网格系的基础。接下来需要对衬底区进行初始化。对仿真结构进行初始化的步骤如下： 在 ATHENA Commands 菜单中选择Mesh Initialize…选项。ATHENA 网格初始化菜单将会弹出。在缺省状态下，100晶向的硅被选作材料； 点击 Boron 杂质板上的Boron 键，这样硼就成为了背景杂质； 对于 Concentration 栏，通过滚动条或直接输入选择理想浓度值为，而在 Exp 栏中选择指数的值为 14。这就确定了背景浓度为×1014 原子数/cm3；（也可以通过以 Ohm·cm 为单位的电阻系数来确定背景浓度。） 对于 Dimensionality 一栏，选择 2D。即表示在二维情况下进行仿真； 对于 Comment 栏，输入“Initial Silicon Structure with 100 Orientation”， 如图； 点击 WRITE 键以写入网格初始化的有关信息。 图 通过网格初始化菜单定义初始的衬底参数 运行 ATHENA 并且绘图 现在，我们可以运行ATHENA 以获得初始的结构。点击DECKBUILD 控制栏里的run 键。输出将会出现在仿真器子窗口中。语句 struct outfile=.是 DECKBUILD 通过历史记录功能自动产生的，便于调试新文件等。 使初始结构可视化的步骤如下： 选中文件“.”。点击 Tools 菜单项，并依次选择 Plot 和 Plot Structure…，如图所示；在一个短暂的延迟之后，将会出现 TONYPLOT。它仅有尺寸和材料方面的信息。在TONYPLOT 中，依次选择Plot 和 Display…； 出现 Display（二维网格）菜单项，如图所示。在缺省状态下，Edges 和 Regions 图象已选。把Mesh 图象也选上，并点击Apply。将出现初始的三角型网格，如图所示。 现在，之前的 INIT 语句创建了一个μm×μm 大小的、杂质