VLSI数字集成电路设计-MOS结构.docx

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2022-03-18 发布于浙江
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? ? VLSI数字集成电路设计 MOS结构 ? ? 文章目录一、MOS不同工作区间二、MOS管的电阻三、CMOS的动态特性一、MOS不同工作区间 1. Vgs=0阈值电压： 2. 电阻工作区 VgsVT 3. 饱和区 4. 沟长调制效应 —— Vds的影响 5. 速度饱和 —— 沟道非常短的情况载流子的速度因为散射效应（载流子之间的碰撞）趋于饱和 6. 亚阈值情况当Vg VT但Vg 0的时候，也是有很少的电流的。出现强反型意味着有足够载流子参与导电。总结手工分析模型：二、MOS管的电阻通过计算 Vdd到Vdd/2 过程中的平均电阻三、CMOS的动态特性动态特性取决于本征寄生电容、互联线、负载引起的额外电容本征寄生电容由基本的MOS结构、沟道电荷、源漏反向偏置pn结耗尽区 1. 结构电容 ——覆盖电容 GSO GDO 2. 沟道电容 ——GCS GCD GCB 3. 结电容底板pn结 + 侧壁pn结总结： ? -全文完-