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VLSI数字集成电路设计
MOS结构
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文章目录
一、MOS不同工作区间
二、MOS管的电阻
三、CMOS的动态特性
一、MOS不同工作区间
1. Vgs=0 阈值电压：
2. 电阻工作区 VgsVT
3. 饱和区
4. 沟长调制效应 —— Vds的影响
5. 速度饱和 —— 沟道非常短的情况 载流子的速度因为散射效应（载流子之间的碰撞）趋于饱和
6. 亚阈值情况 当Vg VT但Vg 0的时候，也是有很少的电流的。出现强反型意味着有足够载流子参与导电。
总结 手工分析模型：
二、MOS管的电阻
通过计算 Vdd到Vdd/2 过程中的平均电阻
三、CMOS的动态特性
动态特性取决于本征寄生电容、互联线、负载引起的额外电容 本征寄生电容由基本的MOS结构、沟道电荷、源漏反向偏置pn结耗尽区
1. 结构电容 ——覆盖电容 GSO GDO
2. 沟道电容 ——GCS GCD GCB
3. 结电容 底板pn结 + 侧壁pn结
总结：
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-全文完-
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