刘诺半导体物理.pptxVIP

1;第三章 半导体中载流子 的统计分布; §3.1 状 态 密 度 ; 每个允许的能量状态在k空间中与由整数组（nx，ny，nz）决定的一个代表点（ kx，ky，kZ ）相对应;一、球形等能面情况 假设导带底在k=0处，且;二、旋转椭球等能面情况：;;由此可知：;§3.2 费米能级和 载流子统计分布;一、费米（Fermi）分布函数 与费米能级;系统粒子数守恒：∑fn（E）=N ;2、费米能级EF的意义;EF的意义?;EF随杂质浓度的变化特点 EF;UESTC Nuo Liu;二、波尔兹曼（Boltzmann）分布函数;三、空穴的分布函数;;UESTC Nuo Liu;UESTC Nuo Liu;UESTC Nuo Liu;四、导带中的电子浓度n0和 价带中的空穴浓度p0KEY：;本征载流子的产生与复合：;;单位体积的电子数n0和空穴数p0：;UESTC Nuo Liu;前面已经得到：;将此二式代入（1）式中，;;利用;;UESTC Nuo Liu;可以见到：Nc∝T3/2和Nv ∝T3/2;由下式可知：;本征半导体：满足 n0=p0=ni 的半导体就是本征半导体。 ni= ni（T） 在室温（RT=300K）下： ni （Ge）≌2.4×1013cm-3 ni （Si） ≌1.5×1010cm-3 ni （GaAs） ≌1.6×106cm-3 ;本征激发：;非本征激发：;在热平衡态下，半导体是电中性的： n0=p0 （1）;即得到：;UESTC Nuo Liu;由（5）式可以见到：;UESTC Nuo Liu;UESTC Nuo Liu;UESTC Nuo Liu;UESTC Nuo Liu;UESTC Nuo Liu;UESTC Nuo Liu;UESTC Nuo Liu;UESTC Nuo Liu;UESTC Nuo Liu;UESTC Nuo Liu;§3.3 小结;KEY：;;一、杂质能级上的电子和空穴;对于Ge、Si和GaAs：; ND：施主浓度 NA：受主浓度（1）杂质能级上未离化的 载流子浓度nD和pA ：;（2）电离杂质的浓度;二、n型半导体的载流子浓度 假设只含一种n型杂质。在热平衡条件下，半导体是电中性的：;;非本征区;即：;1、杂质离化区;见下图所示：;（1）低温弱电离区：特征： nD+ 《ND 弱电离;;讨论：EF随温度T的变化;(2)中间弱电离区：本征激发仍略去???随着温度T的增加，nD+已足够大，故直接求解方程（8）;;UESTC Nuo Liu;UESTC Nuo Liu;UESTC Nuo Liu;UESTC Nuo Liu;UESTC Nuo Liu;UESTC Nuo Liu;（3）强电离区：特征：杂质基本全电离 nD+≌ND电中性条件简化为 n0=ND （18）;这时，;强电离与弱电离的区分;决定杂质全电离(nD+≧90%ND）的因素;2、过渡区：;;;讨论：;显然：n0》p0，这时的过渡区接近于强电离区。;第84页/共114页;UESTC Nuo Liu;UESTC Nuo Liu;UESTC Nuo Liu;本节基本思路;不同掺杂情况下的EF：;UESTC Nuo Liu;UESTC Nuo Liu;例7：Si晶体中含有1017cm-3的P，室温下杂质全部电离。;已知：（1）ND= 1017cm-3 （2） ND= 1017cm-3， NA= 2×1017cm-3 NV=1.1×1019cm-3