5外延片的制造工艺.ppt

整理课件 整理课件 LED的封装、检测与应用 外延片的制造工艺 外延片的制造工艺 外延片的结构以及制造流程 1、Al2O3-GaN外延片结构 2、外延片制造的基本流程 外延片的制造工艺 1、Al2O3-GaN外延片结构 Al2O3衬底 超晶格(异质结)就是将两种晶格常数不同的材料交替生长而成的多层薄膜结构，超晶格材料是两种不同组元以几个纳米到几十个纳米的薄层交替生长并保持严格周期性的多层膜，事实上就是特定形式的层状精细复合材料。 由于GaN与衬底晶格失配为15．4％，因此要生长平坦而没有裂纹的高质量GaN外延层非常困难。Amano提出利用低温生长AlN或GaN作为缓冲再与高温(1000℃)生长GaN的二段生长法得到表面平坦如镜，低剩余载流子浓度，高电子迁移率的高质量GaN外延层。 外延片的制造工艺 2、外延片制造的基本流程 衬底制备 MOCVD生长外延 光刻 离子注入 检测 Carrier MO源 外延片的制造工艺 衬底的制备 1、衬底材料 1）、理想的衬底 (a)、结构特性好，晶圆材料与衬底的晶体结构相同或相近、晶格常数失配度小、结晶性能好、缺陷密度小。 (b)、接口特性好，有利于晶圆料成核且黏附性强。 (c)、化学稳定性好，在晶圆生长的温度和气氛中不容易分解和腐蚀。 (d)、热学性能好，包括导热性好和热失配度小。 (e)、导电性好，能制成上下结构。 (f)、光学性能好，制作的器件所发出的光被衬底吸收小。 (g)、机械性能好，器件容易加工，包括减薄、抛光和切割等。 (h)、大尺寸，一般要求直径不小于2英吋。 (i)、价格低廉。 外延片的制造工艺 2)、 衬底材料的选用 Al2O3衬底 目前用于氮化镓生长的最普遍的衬底是Al2O3 优点：化学稳定性好、不吸收可见光、价格适中、制造技术相对成熟；机械强度高，易于处理和清洗 缺点：(1)晶格失配和热应力失配 (2)绝缘体常温下的电阻率大于1011Ω·cm，无法制作垂直结构的器件； (3)在上表面制作两个电极，造成了有效发光面积减少，增加制造中的光刻和刻蚀工艺过程，材料利用率降低、金属透明电极一般要吸收约30%~40%的光. (4)导热性能不是很好（在100℃约为25W/（m·K）） (5)不容易对其进行刻蚀，刻蚀过程中需要较好的设备，增加生产成本。 SiC衬底（碳化硅衬底） 化学稳定性好、导电性能好、导热性能好、不吸收可见光、价格太高、晶体质量难以达到Al2O3和Si那么好、机械加工性能比较差。芯片电极为L型，两个电极分布在器件的表面和底部，所产生的热量可以通过电极直接导出； 目前用于氮化镓生长衬底就是SiC， Si衬底 Si片作为GaN材料的衬底有许多优点，如晶体质量高，尺寸大，成本低，易加工，良好的导电性、导热性和热稳定性等。 GaN外延层与Si衬底之间存在巨大的晶格失配和热失配，以及在GaN的生长过程中容易形成非晶氮化硅， 采用两种接触方式，分别是L接触（Laterial-contact?,水平接触）和V接触（Vertical-contact，垂直接触） 热的良导体，所以器件的导热性能可以明显改善，从而延长了器件的寿命。 硅衬底对光的吸收严重，LED出光效率低。 但是能用于生产的衬底目前只有二种，即蓝宝石Al2O3和碳化硅SiC衬底。 氮化镓衬底 1.制备氮化镓体单晶材料非常困难 2.氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料 3.通过剥离技术实现衬底和氮化镓厚膜的分离，分离后的氮化镓厚膜可作为外延用的衬底。 4.可以大大提高晶圆膜的晶体质量，降低位错密度，提高器件工作寿命，提高发光效率，提高器件工作电流密度。 ZnO作为GaN晶圆的候选衬底 ，两者晶体结构相同、晶格失配度非常小，禁带宽度接近（能带不连续值小 ），致命的弱点是在GaN外延生长的温度和气氛中容易分解和被腐蚀。ZnO半导体材料尚不能用来制造光电子器件或高温电子器件，主要是材料质量达不到器件水平和P型掺杂问题没有真正解决。 材料 Al2O3 SiC Si GaN GaAs 优点 c、f、h a、c、d、e、f d、e、g、h、i a a、g、i 缺点 a、d、e、g g、i a 单晶衬底制备难，一片2inch衬底售价1万美金 f 电极 类型 V型电极 L型电极 材料 Al2O3 SiC Si GaN GaAs 优点 c、f、h a、c、d、e、f d、e、g、h、i a a、g、i 缺点 a、d、e、g g、i a 单晶衬底制备难，一片2inch衬底售价1万美金 f 电极 类型 V型电极 L型电极 几种常见的衬底材料