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课程电性能资料;第三节材料的电性能 ;6.3.1 电导率和电阻率;材料;6.3.1.2 决定电导率的基本参数。 电导率与两个基本参数相关，即载流子密度n(cm-3)和载流子迁移率?(cm2.V-1.S-1)。研究材料的电导性就是弄清楚载流子的品种、来源和浓度，迁移方式和迁移率大小等。 A 载流子 电流是电荷在空间的定向运动。任一物质，只要存在电荷的自由粒子－－载流子（电子、空穴，正离子、负离子），就可以在电场作用下产生导电电流。金属中为电子，高分子和无机材料为电子或离子。载流子为离子或空格点的电??称为离子电导，载流子为电子和空穴电导称为本征电导。 B 迁移率 物理意义为载流子在单位电场中的迁移速率。μ=σ/nq;6.3.1.3 影响电导率的因素。 A 影响离子电导率的因素： （1）温度 随着温度的升高，离子电导按指数规律增加。在低温下，杂质电导占主要地位。这是由于杂质活化能比基本点阵的活化能小许多的缘故。热运动能量的增高，使本征电导起主要作用。 （2）晶体结构 离子电导率随活化能按指数规律变化，而活化能反映离子的固定程度，它与晶体结构有关。 （3）晶格缺陷 具有离子电导的固体物质称为固体电解质。离子晶体成为固体电解质必须具备两个条件：电子载流子的浓度小；离子晶格缺陷浓度大并参与电导。离子性晶格缺陷的生成及其浓度的大小是决定离子电导的关键。;第6页/共48页;第7页/共48页;B 影响电子电导率的因素： （1）温度 低温区为杂质电导，高温阶段为本征电导，中间出现饱和区，此时杂质全部电离解完，载流子浓度与温度无关。金属中?∝T-1，半导体和绝缘体的电导率随温度变化以指数函数增大。 （2）杂质与缺陷的影响 杂质对半导体的影响是由于杂质离子引起了新局部能级。价控半导体的掺杂（离子半径相近，固定的化合价，具有较高的离子化势能）。 阳离子空位是一个负电中心，能束缚空穴。电子跃迁到导带，形成导电的空穴。吸收一定的能量对应一定波长的可见光能量，从而使晶体具有某种特殊的颜色。俘获了空穴的阳离子空位（负电中心）叫做V-心，也称色心。 阴离子空位？F-心，也称色心。 ZnO？ ;杂质;6.3.2 材料的结构与导电性;第11页/共48页; C 半导体的能带 导电性能介于绝缘体与导体之间的物质称为半导体。升高温度或掺入杂质，都可改变其电阻，可广泛用于晶体管、二极管，镇流器、太阳能电池等方面。 （1）本征半导体 半导体的禁带宽度较小，约在-19(1.0 eV)附近。例如室温下硅为-19J(1.10 eV)。固在室温下晶体中原子的振动就可使少量电子受到热激发，从满带跃迁到导带，即在导带底部附近存在有少量的电子，从而在外电场下显示一定的导电性。 空穴的概念 半导体的一个电子从价带激发到导带上，便产生两个载流子，即形成空穴-电子对，这是与金属导电的最大区别。 （2）杂质半导体 半导体的电阻对晶体中的杂质很敏感，大多数半导体的性质与杂质的种类和含量有关。 ?n型半导体。Si、Ge中掺入少量的P、Sb、Bi或As。 ?p型半导体。 Si、Ge中掺入少量的B、或Al。因缺少一个电子，以少许的能量就可使电子从价带跃迁到掺杂能级上，相应地在价带形成一定数量的空穴，这些空穴可看成是参与导电的带有正电的载流子。;第13页/共48页;6.3.2.2 材料的电子结构与光导性 不仅热运动可使材料产生电子-空穴对，当光照射材料时，同样可使满带中的电子获得足够的能量激发到导带从而产生电子-空穴对，自由电子和自由空穴的变化导致电阻率的变化，这种由光照而使满带中的电子激发到导带的现象称为光电导效应。光电导的实质是对电子电导作贡献的载流子浓度受光激发而增大的现象。 A. 分子受激过程与能量交换 ?E＝Ej-Ei=h? 当吸收光子的能量大于能带禁隙（能隙）时，电子从价带进入导带直接产生一个电子空穴对，呈带-带转变。但通常电子-空穴对保持一种松散结合状态，或者说，它们作为一个整体在结构内部运动，犹似氢原子中电子在绕质子运动。这种电子-空穴对在无机共价化合物中取名Wannier激子。有机晶体分子中叫Frankel激子。 ;; B. 光生载流子机理 当吸收吸收光量子，获得足够能量激发电子到导带，光生载流子可用图来概括。 当光量子足以克服材料的能带带隙时，电子从价带直接激发到导带，这是直接带－带转变（机理A），或叫本征光生载流子过程。为完成直接带－带转变需要较高的光量子，本征光生载流子通常发生在真空紫外区。 在机理B中，基态电子受激发到最低受激发态（单重态），属于初级光吸收。单重态激子只有在离解成独立的电子、空穴而达到导电状态后才对光电流有贡献。为此所需能量可从激子－表面相互作用