集成电路工艺原理未来趋势与挑战.pptVIP

NIL制作的互连双大马士革结构。减少制作步骤。 * Top view Cross section Wafer SiO2 poly-Si Si0.2Ge0.8 Resist “侧墙转移” STL的工艺流程，1 目标：制备纳米级多晶硅栅（红色条块） * Top view Cross section Wafer SiO2 poly-Si Si0.2Ge0.8 SiN STL的工艺流程，2 * Top view Cross section Wafer SiO2 poly-Si Si0.2Ge0.8 SiN SiN STL的工艺流程，3 * Top view Cross section Wafer SiO2 poly-Si SiN Resist STL的工艺流程，4 * Top view Cross section Wafer SiO2 poly-Si SiN Resist STL的工艺流程，5 * Top view Cross section Wafer SiO2 poly-Si SiN Resist STL的工艺流程，6 * Top view Cross section Wafer SiO2 poly-Si STL的工艺流程，7 SiN * 10 poly-Si lines Width=45 nm poly-Si contact H=15 nm W=15 nm poly-Si