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逻辑门电路上课资料第2页/共64页单向导电性：正向导通——P、N间很小的压降，相当于开关闭合。反向截止——P、N间等效很大电阻，相当于开关断开。二极管的开关特性表现在正向导通和反向截止这样两种不同状态之间的转换过程。＋　uD 　－负极正极第3页/共64页Ui时，二极管截止，iD=0。Ui时，二极管导通。uououi＝5V时，二极管导通，如同的电压源，uo＝。ui＝0V时，二极管截止，如同开关断开，uo＝0V。二极管的反向恢复时间限制了二极管的开关速度。第4页/共64页Uiti t反向恢复时间由电荷存储效应引起的第5页/共64页、三极管的开关特性第6页/共64页②ui时，因为uBE，iB=0，三极管工作在截止状态，ic=0。因为ic=0，所以输出电压：uo=VCC=5V③ui＝3V时，三极管导通，基极电流：①ui=1V时，三极管导通，基极电流：三极管临界饱和时的基极电流：而因为0iBIBS，三极管工作在放大状态。iC=βiB，输出电压：因为iBIBS，三极管工作在饱和状态。输出电压：uo＝UCES＝uo=uCE=VCC-iCRc+VCC+VCCRcRcRbRbbcbc＋＋＋＋＋＋0.3V0.7V－－－－－－ee第7页/共64页放饱和区大区截止区饱和状态截止状态iB≈0iB≥IBSuoui=UIHui=UILuo=+VCC输入高电平输入低电平开通时间：截止 饱和，建立基区电荷的时间。关闭时间：饱和 截止，基区存储电荷消散的时间。饱和程度 越深，所需时间越长。第8页/共64页数字电路中，三极管作为一个由基极电流控制的无触点开关：饱和导通： Vce≈ 0，C、E间相当于开关闭合。 截止：Vce≈Vcc， C、E间相当于开关断开。第9页/共64页2.3 基本逻辑门电路1、二极管与门Y=AB第10页/共64页2、二极管或门Y=A+B第11页/共64页二极管门电路的电平偏移问题：由于二极管的正向压降，经过一级门后，输出电平与输入电平有约（硅管）的偏移，许多级门电路互相串接时，将使高、低电平偏离标准数值越来越远，以至造成错误结果。第12页/共64页3、三极管非门三极管临界饱和时的基极电流为：iB＞IBS，三极管工作在饱和状态。输出电压uY＝UCES＝。①uA＝0V时，三极管截止，iB＝0，iC＝0，输出电压uY＝VCC＝5V②uA＝5V时，三极管导通。基极电流为：第13页/共64页三极管反相器的带负载问题：三极管反相器开关速度不高，带负载能力不强。输出高电平时（T截止），负载使输出高电平下降。输出低电平时（T饱和），负载可能使T退出饱和，使输出低 电平上升。三极管T饱和程度越深，退出饱和所需时间越长（开关速度下降），但带负载能力越强。第14页/共64页2.4 TTL逻辑门电路1、TTL与非门电路第15页/共64页⑴电路构成：输入级：多发射极三极管T1、Rb1中间放大级：T2、Rc2、Re2推拉式输出级：T3和T4、D、Rc4作用：提高开关速度和提高带负载能力。输入高电平低电平VPN结的压降0.7 V第16页/共64页（2）逻辑功能输入全为高电平V时。 T2、T3导通，VB1（V ），由于T3饱和导通，输出电压为：VO=VCES3V这时T2也饱和导通，故有VC2=VE2+ VCE2=1V。使T4和二极管D都截止。实现了与非门的逻辑功能之一：输入全为高电平时，输出为低电平。第17页/共64页输入有低电平V 时。该发射结导通，VB1=1V。所以T2、T3都截止。由于T2截止，流过RC2的电流较小，可以忽略，所以VB4≈VCC=5V ，使T4和D导通，则有： VO≈VCC-VBE4-VD（V）实现了与非门的逻辑功能的另一方面：输入有低电平时，输出为高电平。综合上述两种情况，该电路满足与非的逻辑功能，即：第18页/共64页⑶性能改善：TTL与非门提高工作速度的原理 输入由“1”跳至“0”时，因T1射极突跳至“0”，IB1流入T1射极，而此时T2，T3尚未脱离饱和，VC1仍为，T1发射结正偏，集电结反偏处于放大状态，于是有很大的电流从T2基极流向T1，使T2基区存储电荷迅速消散，加快T2退出饱和，因而加快与非门输出由“0”向“1”的转换 第19页/共64页采用了推拉式输出级，输出阻抗比较小，可迅速给负载电容充放电。 第20页/共64页74LS00内含4个2输入与非门，74LS20内含2个4输入与非门。1481481177第21页/共64页实际的与非门器件74LS308输入与非门74LS002输入4与非门第22页/共64页与非门的电压传输特性及抗干扰能力(1)电压传输特性曲线：Vo=f（Vi）第23页/共64页AB段： VI 很低，T1饱和，T2、T3截止，T4、D导通， VOBC段： VI ↑到，VB2=VI+VCES1，T2开始导通，T3仍然