三极管MOS管的区别.pdf

三极管跟MOS管的差别 三极管和场效应管的比较可以归纳以下几点： 一、在三极管中，空穴和自由电子都参与导电,称为双极型器件，用 BJT 表示; 而场效应管只有多子导电，称为单极型器件，用FET表示.由于多子浓度不受外 界温度、光照、辐射的影响，在环境变化剧烈的条件下，选用FET 比较合适。 这 也就是我们通常所说的场效应管比较稳定的原因。 二、在放大状态工作时，三极管发射结正偏,有基极电流，为电流控制器件， 相应的输入电阻较小，约103Ω；FET在放大状态工作时无栅极电流，为电压控 制器件，输入电阻很大，JFET 的输入电阻大于107Ω，MOS管的输入电阻大于1 09Ω 。 三、场效应管的源极和漏极在结构上对称，可以互换使用(但应注意，有时厂家 已将MOS 管的源极与衬底在管内已经短接，使用时就不能互换)。对耗尽型MOS 管的VGS可正、可负、可为零，使用时比较灵活.三极管的集电极和发射极一般 不能互换使用。 四、在低电压小电流状态下工作时，FET可作为压控可变线性电阻器和导通电阻 很小的无触点电子开关。 五、MOS管工艺简单，功耗小，适合于大规模集成。三极管的增益高，非线性失 真小，性能稳定。在分立元件电路和中、小规模集成电路中，三极管仍占优势。 六、三极管的转移特性(ic-vbe 的关系)按指数规律变化，场效应管的转移特性 按平方规律变化，因此场效应管的非线性失真比三极管的非线性失真大。 七、场效应管的三种基本组态电路(共源、共漏和共栅)可以对照三极管的共发、 共集和共基电路，由于场效应管的栅极无电流 ,所以输入电阻近乎∞。跨导 g 比三极管的小一个数量级，g 我们可以用转移特性求导得到。 八、记住四种mos管的特性曲线的方法：:只需记住n沟道的emos管的曲线，它 的Vgs是大于0 的,且曲线呈递增趋势。而p沟道的emos的Vgs是小于0 的,且 呈现递减趋势。dmos 的Vgs 既有大于0 的部分，又有小于0 的部分，按照n沟 道递增，p沟道递减的曲线特征就可以将dmos的特性曲线记住了 。 MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的 地方。一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑 MOS 管。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不 加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子 （基区为空穴，发射区为电子） 的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场 （即内建电场）， 当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内 建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值 即pn 结的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。但此时每个pn 结的两侧都 会有电荷存在，此时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电 子往基区运动，由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处 的空穴复合（靠近集电极）。在正电场的作用下集电区的电子加速向集电极运动， 而空穴则向pn 结处运动，此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回 到发射极，这就是晶体管的工作原理。三极管工作时，两个pn 结都会感应出电 荷，当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至， pn 结感应的电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。而mos 三极管工作方 式不同，没有这个恢复时间，因此可以用作高速开关管。在只允许从信号源取较 少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多 电流的条件下，应选用晶体管。