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会计学;一、简介;与普通显微镜的差别:;学习的重要性:
▲,是形貌分析的重要手段
▲,二次电子象在其它分析仪器中的应用
▲,基本物理概念、仪器参数及基本单元的通用性,;二、基本物理概念
(一),电子与表面相互作用及与之相关的分析技术
(二),信息深度
(三),电子作为探束的分析技术特点
;(一)电子与表面相互作用及与之相关的分析技术
1.信息种类及相应的分析技术:
△ 背散射:经弹性散射或一次非弹性散射后
以θ 90°射出表面, E~Ep
△ 特征能量损失
?? 多次散射后射出-形成本底
△ 在样品中停止,变为吸收电流
△ 从样品透射 (TEM); △ 二次电子:外层价电子激发
(SEM)
△ 俄歇电子:内层电子激发
(AES)
△ 特征X射线:内层电子激发
(EPMA)
△ 连续X射线:轫致辐射(本底)
对于半导体材料:
△ 阴极荧光
△ 电子束感生电流
;2.检测电子的能量分布;(二),信息深度
,,,,△,非弹性散射平均自由程:
,,,,,,,,,具有一定能量的电子连续发生两次非弹性碰撞
,,,,,,,之间所经过的距离的平均值。
,,,,△,衰减长度:I,=,Ioe-t/λ
,,,,,当电子穿过t,=,λ厚的覆盖层后,它的强度
,,,将衰减为原来的1/e,称λ为衰减长度。
△,通常近似地把衰减长度λ当作电子的非弹性散射平均,自由程,亦称为逸出深度。
△,衰减长度和电子能量的关系:
,,,实验结果:
,,,,经验公式:λ=,(Ai/E2)+BiE1/2
,,,,,其中A、B对于不同的元素及化合物,有不同的值.
;△,信息深度:信号电子所携带的信息来自多厚的表面层?,,
,,,,,,,,,,,,,通常用出射电子的逃逸深度来估计。
,,但是当出射电子以同表面垂直方向成θ角射出时,电子所反映的信息深度应该是:
,,,,,,,,,,,,,,,,,,,d,=λcosθ
,,△,激发深度与信息深度:;在扫描电镜中,由电子激发产生的主要信号的信息深度:
,,俄歇电子,,,,,1,nm,(0.5-2,nm)
,,二次电子,,,,,5-50,nm
,,背散射电子,,,50-500,nm
,,X射线,,,,,,,0.1-1μm;,,产生大量二次电子,,,,,产生少量二次电子,
,,,,信噪比差,,,,,,,,,,,,,,信噪比好
;
1.放大倍数
荧光屏上的扫描振幅
电子束在样品上的扫描振幅
放大倍数与扫描面积的关系:
(若荧光屏画面面积为10×10cm2)
放大倍数 扫描面积
10× (1cm)2
100× (1mm)2
1,000× (100μm)2
10,000× (10μm)2
100,000× (1μm)2
;2.分辨率,,?
,,,,,样品上可以分辨的两个邻近的质点或线条间的距离。
,,,,,如何测量:拍摄图象上,亮区间最小暗间隙宽度
,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,除以放大倍数。
,,,,影响分辨率的主要因素:
,,,,△,初级束斑:分辨率不可能小于初级束斑
,,,,△,入射电子在样品中的散射效应
,,,,△,对比度
;3.景深
,△,一般景深的定义:
;△ SEM的景深:
对于SEM,虽没有实际的成象透镜,但景深的意义是相同的。
在D深度范围内,中心处为最佳聚焦
当dp 最小可分辨时,在D深度范围内均可清晰成象。
dp / 2 = Dαo/ 2
D = dp / αo
αo一般为1mrad
故:景深为最小可分辨的1000倍; 四、工作模式与衬度原理
(一)二次电子象
(二)背散射电子象
(三)二次电子象与背散射电子象的比较
工作模式:依赖于用哪种物理量来调制显象管
△ 二次电子象模式
△ 背散射电子象模式
衬度: (对比度,是得到图象的最基本要
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