双极型晶体管及其特性.pptVIP

分别定义为晶体管输出交流短路时的输入电阻、输入交流开路时的反向电压传输系数、输出交流短路时的电流放大系数和输入交流开路时的输出电导。可见，这四个参数具有不同的量纲，而且要在输入开路或输出交流短路条件下求得。 由式(2–37)并根据四个参数的意义，得出的低频H参数电路模型如图2–28所示。 第126页，共199页，编辑于2022年，星期五 图2–28 共发射极晶体管H参数电路模型 第127页，共199页，编辑于2022年，星期五 由于共射极输入、输出特性曲线本身就是描述晶体管端口特性的一种方式，因此，在工作点处，当用变化量的比值近似偏导数时，可在特性曲线上通过图解求出电路模型中每一参数值。其方法见图2–29(a)~(d)。 第128页，共199页，编辑于2022年，星期五 图2–29在特性曲线上求H参数的方法 第129页，共199页，编辑于2022年，星期五 图2–29在特性曲线上求H参数的方法 第130页，共199页，编辑于2022年，星期五 图2–29在特性曲线上求H参数的方法 第131页，共199页，编辑于2022年，星期五 图2–29在特性曲线上求H参数的方法 第132页，共199页，编辑于2022年，星期五 对于hoe，还可采用下述方法估算。由于基区调宽效应，当iB一定时，iC随uCE的增大略有上翘。若将每条共射极输出特性曲线向左方延长，都会与uCE负轴相交于一点，其交点折合的电压称为厄尔利电压，用UA表示，如图2–30所示。显然，UA越大，表示基区调宽效应越弱。对于小功率晶体管， UA一般大于100V。由图2--30不难求出在Q点处的hoe，即 (2–39) 第133页，共199页，编辑于2022年，星期五 图2–30利用厄尔利电压求hoe 第134页，共199页，编辑于2022年，星期五 由于混合π型电路模型与H参数电路模型等价，所以H参数还可以通过混合π型参数确定。输出交流短路和输入交流开路的低频混合π型电路分别如图2–31(a),(b)所示。利用该图并根据式(2–38)每个H参数的意义，可分别求得如下关系： 图2–31求H参数用的混合π型电路 (a)输出交流短路的混合π型电路 第135页，共199页，编辑于2022年，星期五 图2–31求H参数用的混合π型电路 (a)输出交流短路的混合π型电路； (b)输入交流开路的混合π型电路 第136页，共199页，编辑于2022年，星期五 (2–40a) (2–40b) (2–40c) (2–40d) 第137页，共199页，编辑于2022年，星期五 如果忽略r b′c的影响，则式(2–40)可简化为 (2–41a) (2–41b) (2–41c) (2–41d) 第138页，共199页，编辑于2022年，星期五 这就是工程分析中实用的H参数。其相应的低频H参数电路模型如图2–32所示。以上导出的两种晶体管交流模型各具特点。通常，在宽带放大器的分析中，采用图2–27(a)混合π型电路模型比较方便；而在低频放大器的分析中，采用图2–32H参数电路模型则相对简单。为了使参数一致，在以后的分析中均采用混合π型电路参数。 第139页，共199页，编辑于2022年，星期五 图2–32 实用的低频H参数电路模型 第140页，共199页，编辑于2022年，星期五 图2–20共射放大器的直流、交流通路 (a)直流通路；(b)交流通路 第94页，共199页，编辑于2022年，星期五 如图2–21(a)所示。图中，直流负载线MN与iB=IBQ的输出特性曲线相交于Q点，则该点就是方程组(2–24)的解(即直流工作点)。因而，量得Q点的纵坐标为ICQ，横坐标则为UCEQ。 第95页，共199页，编辑于2022年，星期五 图2–21放大器的直流图解分析 (a)直流负载线与Q点；(b)Q点与RB、RC的关系 第96页，共199页，编辑于2022年，星期五 图2–21放大器的直流图解分析 (a)直流负载线与Q点；(b)Q点与RB、RC的关系 第97页，共199页，编辑于2022年，星期五 例4 在图2–20(a)电路中，若RB=560kΩ,RC=3kΩ,UCC=12V，晶体管的输出特性曲线如图2–21(b)所示，试用图解法确定直流工作点。 解 取UB