第五章非平衡载流子详解演示文稿.pptVIP

若： 电子俘获系数 空穴俘获系数 第六十二页，共一百二十九页。 第六十三页，共一百二十九页。 当 时， 最小, 复合率 ui 极大 位于禁带中央的深能级是最有效的复合中心 第六十四页，共一百二十九页。 ● 如果 Et ? Ec，那么由 Ec—Et 决定的 n1 大， n1 决定发射电子的产生率 Qn=rnntn1 大，电子容易从 Et 能级上发射出去，进入导带，un=Rn—Qn?， ● 如果 Et? EV，那么 p1?，Et 能级向价带发射的空穴数 ?，Et 上净俘获的空穴几率 up?。 浅能级不能起有效的复合中心的作用 第六十五页，共一百二十九页。 四、表面复合 —- 半导体表面发生的复合过程 1．表面复合率us us：单位时间流过单位表面积的非平衡载流子，单位：个/s·cm2 ：为样品表面处单位体积的非子数(表面处的非子浓度1/cm3) 少子的寿命受半导体的形状和表面状态的影响 第六十六页，共一百二十九页。 个/s cm2 个/cm3 cm/s S比例系数，表征表面复合的强弱，具有速度的量纲，称为表面复合速度。 第六十七页，共一百二十九页。 2．影响表面复合的因素及寿命表示式 (1) 表面粗糙度 (2) 表面积与总体积的比例 (3) 与表面的清洁度、化学气氛有关 在考虑表面复合后，总的复合几率为： 第六十八页，共一百二十九页。 五、俄歇复合－－非辐射复合 载流子从高能级向低能级跃迁，发生电子 －－空穴复合时，将多余的能量传给另一载 流子，使此载流子被激发到能量更高的能 级上去，当它重新跃迁回低能级时，多余 的能量以声子形式放出。 第六十九页，共一百二十九页。 n 型 p 型 俄歇复合 杂质带 第七十页，共一百二十九页。 §5.4 陷阱效应 陷阱效应：杂质能级积累非平衡载流子的作用。 所有杂质能级都有一定的陷阱作用。 陷阱：有显著陷阱效应的杂质能级。 陷阱中心：相应的杂质和缺陷称为陷阱中心。 第七十一页，共一百二十九页。 对于 的杂质， 电子的俘获能力远大于俘获空穴的能力， 称为电子陷阱。 ● ● 对于 的杂质， 俘获空穴的能力远大于俘获电子的能力， 称为空穴陷阱。 一、陷阱效应的类型 第七十二页，共一百二十九页。 二、陷阱效应的分析 1．陷阱效应中的载流子浓度 陷阱上的电子浓度 nt 复合中心理论可用来分析有关陷阱效应的问题 第七十三页，共一百二十九页。 为陷阱上的非子浓度 为俘获电子， 电子陷阱 为俘获空穴， 空穴陷阱 nt0 稳定时陷阱上的电子浓度 第七十四页，共一百二十九页。 第七十五页，共一百二十九页。 2．陷阱上的电子对电导的间接贡献 没有陷阱时： 有电子陷阱后： 第七十六页，共一百二十九页。 第七十七页，共一百二十九页。 三、有效陷阱效应 假设电子陷阱，rn rp 第七十八页，共一百二十九页。 当： 俘获的电子最多 第七十九页，共一百二十九页。 最大 时， 电子陷阱最有效 第八十页，共一百二十九页。 ●当 EtEF 时，Ec－Et 小，n1 大，电子从 Et 激发到 Ec 的几率大； ●当 EtEF 时，在热平衡态时，Nt 中大部分已被电子占有，空穴很少，??nt 小 ，不起陷阱作用 ? 对 电子陷阱，EF 以上的能级，越接近 EF, 陷阱效应越显著。 EF 以下的能级，不起陷阱作用。 第八十一页，共一百二十九页。 电子陷阱是存在于P型材料中 空穴陷阱是存在于N型材料中 实际上遇到的常是少数载流子的陷阱效应 电子落入陷阱后，基本不直接与空穴复合，它们必须首先被激发至导带，再通过复合中心而复合 陷阱增长了从非平衡态恢复到平衡态的时间 第八十二页，共一百二十九页。 四、饱和陷阱 以电子陷阱为例： 达到平衡时： 电子俘获率 = 电子产生率 第八十三页，共一百二十九页。 要达到饱和： 第八十四页，共一百二十九页。 ● n很大，可以忽略n1 ∵n=n0+?n，n很大，说明?n很大，大注入 ● n1很小，说明陷阱中心的位置远离导带 深陷阱和浅陷阱 Ec Ev Et1 Et2 第八十五页，共一百二十九页。 t △p (△p)o/e τ τ’ ↓ 浅陷阱 ↓ 深陷阱 陷阱的存在影响对寿命的测量 电子落入陷阱后，基本不直接与空穴复合，它们必须首先被激发至导带，再通过复合中心而复合 第八十六页，共一百二十九页。 §5.5 非平衡态下载流子的运动 对非平衡载流子有两种定向运动： ●电场作用下的漂移运动； ●浓度差引起的扩散运动。 第八十七页，共一百二十九页。 一、非平衡载流子的扩散运动和扩散电流 1．非子的扩散运动和一维稳态时的扩散方程 均匀掺杂的N型半导体