《半导体工艺》课件ch05-diffusion翻译版.pptVIP

Yue Shen Concentration：the diffusion coefficient varies with the changing of concentration in the high concentration region. This is because of the interactions between the diffusant atoms.（浓度：扩散系数在高浓度区中随浓度而改变。这是因为扩散剂的原子之间的相互作用。） Other impurities：If there are more than one kind of impurities, the interaction between different impurities may influence the diffusion coefficient.（其它杂质：如果有一种以上的杂质，不同的杂质之间的相互作用影响扩散系数。） Defects：Diffusion may be faster along the 1D and 2D defects.缺陷：扩散沿着一维和二维缺陷更快。 Predeposition (预沉积): Constant source concentration diffusion at a relatively lower temperature (800-900oC) for a short time. 在很短的时间内在相对较低的温度（800-900oC）下进行恒定表面源扩散。 Emitter dip effect (发射区推进效应或者发射区下陷效应): The diffusion of the dopant of the base region may be enhanced/weakened by the diffusion of the high concentration emitter dopant. This is a good example of the diffusant interaction。高掺杂剂浓度的发射区的扩散会增强/减弱基区掺杂物的扩散。这是扩散剂相互作用的一个很好的例子。 磷－硼组合（NPN）：发射区推进。高浓度磷扩散时，由P+V2-离子对离解产生大量的V-型空位，不仅增强了磷在尾区的扩散，还会迁移到较远处，使内基区硼的扩散也增强。 砷－硼组合（NPN）：发射区收缩。砷与空位形成稳定的络合物VAs2，使空位欠饱和，造成内基区硼的扩散系数减小。 Oxidation Enhanced Diffusion (OED) of B, P , As；氧化物增强扩散 Oxidation slows down the Sb diffusion. 氧化物减弱扩散 硅在氧化过程中体积膨胀（2.24倍），将一部分硅原子推进硅中的间隙位置。 　对于硼、磷、砷的扩散: 间隙硅不稳定，会将晶格位置上的替位杂质推到间隙位置，经过间隙机制扩散后再回到晶格位置，所以氧化过程中扩散被增强；（硼、磷、砷主要是替位杂质，正常情况下以空位交换方式进行扩散，但对于氧化增强效应来说，主要以间隙机制起作用。） 　而对于锑的扩散，间隙硅向衬底扩散过程中会和空位复合，使空位浓度减小，所以氧化过程中扩散被阻滞。 Oxidation rate：D∝(dzox/dt) 0.2~0.6；氧化速率 Temperature：More obvious at lower temperature；温度，在低温时影响更明显 Wafer orientation：More obvious in（100）than（111）；晶圆取向 Atmosphere（气氛）：HCl may suppress the formation of interstitial Si. Thus, the OED is weakened. 盐酸抑制间隙硅原子的形成。因此，OED被削弱。 4.3.4 Extrinsic Diffusion外在扩散 1.In high dopant concentration (nni) diffusion process, the diffusion coefficient is influenced by the dopant concentration because of the interaction between dopant atoms. Meanwhile, because the initial substrate dopant concentration is very low comparing with the diffusant, the junction depth is no