《半导体工艺》课件ch10-Cu interconnection 中英.pptVIP

Yue Shen 双镶嵌 与单镶嵌过程非常相似，关键不同在于“双” 通过在电介质蚀刻空洞和沟槽来创建通孔和线，然后在两个点沉积铜 图片1/在电介质上蚀刻洞（孔）以使与底层金属连接 图片2/为金属线（的放置）蚀刻槽 两张图片/蚀刻步骤可以有两种顺序： 1.先（蚀刻）沟槽后孔 2.先孔后沟槽 Chapter 10Copper Interconnect 铜互连 Advantages and Challenges of Cu interconnect 优缺点 Since copper is a better conductor than aluminum, chips using this technology can have smaller metal components, and use less energy to pass electricity through them. 由于铜导电性优于铝，采用铜互连技术芯片的金属部件更小且传递电能需要的能量更少 Because of the lack of volatile copper compounds, copper could not be patterned by the previous techniques of photoresist masking and plasma etching that had been used with great success with aluminium. 因为缺乏挥发性铜化合物，铜不能由先进光致抗蚀剂掩蔽和等离子刻蚀技术进行图案化，而铝已可以成功运用这两项技术 Solution- Damascene process解决方案 - 镶嵌工艺 The inability to plasma etch copper called for the development of a process referred to as an additive patterning, also known as a Damascene or dual-Damascene process by analogy to a traditional technique of metal inlaying. 铜无法等离子蚀刻，需要一个发展过程称为添加剂图案化，也被称为“镶嵌”或“双镶嵌” ，其类似传统的金属镶嵌技术 镶嵌工艺 解决铜问题（无法蚀刻）通过： 省去蚀刻铜步骤 用化学机械研磨代替蚀刻 本章以下部分都是图片，所以可能见缝插字，比较小，多包涵 q(≧▽≦q) 利用特殊层阻止铜扩散 阻挡层防止其上下方材料的混合 典型的阻挡材料有 Ta,TaN,TiN和TiW 铜必须封装阻止外扩散 电介质 Ta/TaN衬垫 刻蚀和沉积隔离层 沉积种子（？怪怪的）层 电镀 单镶嵌过程 钨之间的铜连接 传统的金属化过程与镶嵌过程 沉积金属 定义PR模式 通过PR模式金属被蚀刻 封装电介质 通孔和线的沟槽被蚀刻 金属填充沟槽 电介质重新沉积 蚀刻停止 硅片晶圆 应该via 先（蚀刻）沟槽后孔 电介质 铜填充 先孔后沟槽 化学机械平面化方法 CMP是一个用化学和机械力联合平滑表面的过程 典型工艺条件 压盘转速 rpm--r/min 浆料流速 氧化CMP 金属CMP 粘片 停在非选择性层 CMP局限性 凹陷和侵蚀 应力开裂 划痕 化学浆料腐蚀性 耗时 昂贵 凹陷和侵蚀是局部平坦化形式，其中晶片抛光的部分侵蚀较快 铜凹陷和氧侵蚀的图片