传感器与检测技术霍尔式传感器.pptxVIP

13霍尔压力变送器霍尔式传感器地测试项目描述图13-1是我国自主研发,生产地YSH-1型霍尔压力变送器。该变送器适用于测量对铜与铜合金不起腐蚀作用地,非结晶与非凝固地液体或蒸汽地压力与负压,由于变送器能将各种被测压力转换成0～20mV地信号,因此变送器与二次仪表配套使用可以对冶金,电力,石油,化工工业部门实现远程控制与集中检测地目地,与调节器配套使用可以实现对系统地自动调节目地。一,霍尔效应与霍尔元件?1．霍尔效应将金属或半导体薄片置于磁感应强度为B地磁场（磁场方向垂直与薄片）中,如图13-2所示,当有电流I通过时,在垂直于电流与磁场地方向上将产生电动势UH,这种物理现象成为霍尔效应。该电势UH称为霍尔电势。霍尔效应演示dabc 当磁场垂直于薄片时,电子受到洛仑兹力地作用,向内侧偏移,在半导体薄片c,d方向地端面之间建立起霍尔电势。位于磁感应强度为B地磁场中,B垂直于L-W平面,沿L通电流I,N型半导体地载流体—电子将受到B产生地洛仑兹力FL地作用在力FL地作用下,电子向半导体片地一个侧面偏转,在该侧面上形成电子地积累,而在相对地另一侧面上因缺少电子而出现等量地正电荷。在这两个侧面上产生霍尔电场EH。该电场使运动电子受有电场力FE电场力阻止电子继续向原侧面积累,当电子所受电场力与洛仑兹力相等时,电荷地积累达到动态平衡,由于存在EH,半导体片两侧面间出现电位差UH,称为霍尔电势如果磁场与薄片法线夹角为?,那么又因RH=μρ,即霍尔系数等于霍尔片材料地电阻率ρ与电子迁移率μ地乘积。一般金属材料载流子迁移率很高,而电阻率很小;而绝缘材料电阻率极高,而载流子迁移率极低。故只有半导体材料适于制造霍尔片。目前常用地霍尔元件材料有锗,硅,砷化铟,锑化铟等半导体材料2．霍尔元件霍尔元件地结构很简单,它由霍尔片,引线与壳体组成霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片,引出4个引线,a,b两根引线加激励电压或电流,称为激励电极;c,d引线为霍尔输出引线,称为霍尔电极,如图13-3（b）所示。霍尔元件壳体由非导磁金属,陶瓷或环氧树脂封装而成。图13-3（c）所示为霍尔元件常用地三种表示符号。3．霍尔元件测量电路（1）基本测量电路（2）霍尔元件地输出电路。在实际应用中,要根据不同地使用要求采用不同地连接电路方式。如在直流激励电流情况下,为了获得较大地霍尔电压,可将几块霍尔元件地输出电压串联,如图13-5（a）所示。在交流激励电流情况下,几块霍尔元件地输出可通过变压器接成如图13-5（b）所示地形式,以增加霍尔电压或输出功率4．霍尔元件主要特性参数（1）乘积灵敏度KH（2）额定激励电流IN与最大允许激励电流Imax（3）输入电阻Ri,输出电阻Ro。Ri为霍尔器件两个激励电极之间地电阻,Ro为两个霍尔电极之间地电阻（4）不等位电势U0与不等位电阻R0不等位电阻定义为R0= U0/IN,R0越小越好。（5）寄生直流电势UOD。当不加磁场,器件通以交流控制电流,这时器件输出端除出现交流不等位电势以外,如果还有直流电势,则此直流电势称为寄生直流电势UOD产生交流不等位电势地原因与直流不等位电势相同（6）霍尔电势温度系数α。在一定磁感应强度与激励电流下,温度每变化1℃时,霍尔电势变化地百分率,称为霍尔电势温度系数α5．霍尔元件地误差补偿（1）不等位电势地补偿为分析不等位电势,可将霍尔器件等效为一电阻电桥,不等位电势U0就相当于电桥地不平衡输出。因此,所有能使电桥平衡地外电路都可用来补偿不等位电势不等位电势与霍尔电势具有相同地数量级, 有时甚至超过霍尔电势, 而实用中要消除不等位电势是极其困难地, 因而必须采用补偿地方法。 由于不等位电势与不等位电阻是一致地, 可以采用分析电阻地方法来找到不等位电势地补偿方法。如图 7 - 10 所示, 其中A,B为激励电极, C,D为霍尔电极, 极分布电阻分别用R1, R2, R3, R4表示。理想情况下, R1=R2=R3=R4, 即可取得零位电势为零（或零位电阻为零）。 实际上, 由于不等位电阻地存在, 说明此四个电阻值不相等, 可将其视为电桥地四个桥臂, 则电桥不平衡。为使其达到平衡, 可在阻值较大地桥臂上并联电阻（如图7 - 10（a）所示）, 或在两个桥臂上同时并联电阻（如图7 - 10(b)所示）。 （2）温度补偿1恒流源供电,输入端并联电阻;或恒压源供电,输入端串联电阻2合理选择负载电阻。霍尔电势地负载通常是放大器,显示器或记录仪地输入电阻,其值一定,可用串,并联电阻地方法使输出负载电压不变3采用热敏元件二,集成霍尔传感器 霍尔集成电路可分为线性型与开关型两大类。 线性型集成电路是将霍尔元件与恒流源,线性差动放大器等做在一个芯片上,输出电压为伏级,比直接使用霍尔元件方便得多。较典型地线性型霍尔器件如UGN3501等。 线