LED制造工艺流程简介.pptVIP

去边 （2）SiO2掩膜光刻 第三十页，共五十六页。 去边 （3）去边腐蚀 第三十一页，共五十六页。 去边 （4）去Pt (P型接触层) 第三十二页，共五十六页。 去边 （5）去SiO2 第三十三页，共五十六页。 剥离？LLO 第三十四页，共五十六页。 N面工艺 表面粗化(AFM观察) 尖的高度和大小 钝化蓝光SiON 2800埃 SiO2 N电极蒸发Al/Ti/Au 电极光刻 第三十五页，共五十六页。 钝化 （1）SiN生长 第三十六页，共五十六页。 钝化 （2）SiN光刻 第三十七页，共五十六页。 N电极蒸发（Al） 第三十八页，共五十六页。 N电极光刻（Al） 第三十九页，共五十六页。 芯片点测 第四十页，共五十六页。 LED制造工艺流程 第一页，共五十六页。 工艺过程 例如GaAs、Al2O3 、Si、 SiC等 制造衬底 封状成 成品 制造 芯片 40000个 制造发光二极管外延片 例如MOCVD 一片2直径英寸的外延片可以加工20000多个LED芯片 硅(Si) 氮化镓(GaN) 50毫米 200微米=0.2毫米 上游产业： 材料的外延与生长 中游产业： 芯片制造 下游产业： 器件封装与应用 第二页，共五十六页。 技术路线 衬底制备 外延材料生长 外延片检测 N面工艺 薄膜转移 P面工艺 芯片点测 划片 芯片分选 第三页，共五十六页。 衬底制备 直拉法 主要包括以下