GOOD集成电路工艺和版图设计EDA讲座.pptVIP

* 集成电路工艺和版图设计概述Jian FangIC Design Center, UESTC 第一页，共三十三页。 IC常用术语 园片：硅片 芯片(Chip, Die)： 6?、8 ?：硅（园）片直径：1 ?＝25.4mm 6??150mm; 8??200mm; 12??300mm; 亚微米1?m的设计规范 深亚微米=0.5 ?m的设计规范 0.5 ?m 、 0.35 ?m －设计规范（最小特征尺寸） 布线层数：金属（掺杂多晶硅）连线的层数。 集成度：每个芯片上集成的晶体管数 第二页，共三十三页。 IC工艺常用术语 净化级别：Class 1, Class 10, Class 10,000 每立方米空气中含灰尘的个数 去离子水 氧化 扩散 注入 光刻 ……………. 第三页，共三十三页。 集成电路（Integrated Circuit, IC）：半导体IC，膜IC，混合IC 半导体IC：指用半导体工艺把电路中的有源器件、无源元件及互联布线等以相互不可分离的状态制作在半导体上，最后封装在一个管壳内，构成一个完整的、具有特定功能的电路。 半导体IC 双极IC MOSIC BiCMOS PMOS IC CMOS IC NMOS IC 第四页，共三十三页。 MOS IC及工艺 MOSFET — Metal Oxide Semiconductor Field Effect T