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§1 氧化工艺;一. 用途;1.二氧化硅膜的化学稳定性极高，不溶于水，除氢氟酸外，和别的酸不起作用。氢氟酸腐蚀原理如下：
;3. 二氧化硅膜的绝缘性质;（ 1 ）可动离子电荷：如Na+离子---Si表面负电荷（N型沟道）－－清洗、掺氯氧化工艺－－PSG－SiO2
（2）固定氧化物电荷----过剩的Si+
（3）界面陷阱电荷(快态界面)－－分立、连续能级、电子状态
（4）氧化物陷阱电荷： Si －SiO2界面附近（109～1013/cm2）---300℃退火
（5）氧化层上的离子沾污;;三.P阱－CMOS制造流程中的 氧化步骤;P阱－CMOS制造流程号－－氧化步骤(续1);P阱－CMOS制造流程号－－氧化步骤(续2);§2 氧化方法;二.水汽氯化氢氧化 1.掺氯氧化机理;氯使界面处的硅形成硅空位，吸收本征层错中的过多的硅原子，减少层错。;三. 其他常用氧化;图1-2 局部氧化及鸟嘴
普遍采用SiO2/Si3N4覆盖开窗口,进行局部氧化,
问题:1.存在鸟嘴, 氧扩散到Si3N4 膜下面生长SiO2, 有效栅宽变窄,增加电容 2.吸附硼(B+);解决方法:;;五. 先进的隔离技术0.25? ;19;20;;;六. 栅介质;2.解决方法：;七.质量检测;C－V特性测试;作业：
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