课程05场效应物流.pptxVIP

;N沟道;5.1 MOS场效应管; 当栅源之间加上正向电压，GB 间产生垂直电场，排斥P 区中的空穴形成离子区(耗尽层)，同时吸引 P 区中的少子电子到衬底表面；;;;3. V-I特性曲线及大信号特性方程;3. 转移特性曲线;5.1.2 耗尽型 N 沟道 MOSFET;输出特性;5.1.3 P 沟道 MOSFET;N 沟道增强型;; ② 夹断电压VP (VGS(off))：; ②低频跨导gm：;① 最大漏极电流IDM;综上分析可知;? 直流偏置电路;1. 直流偏置电路及Q点的计算;1. 直流偏置电路及Q点的计算;(例：P213例5.2.2);2. 图解分析;;5.3.1 JFET的结构和工作原理; 源极，用S或s表示;偏置电压的要求： 1 .栅-源极间加一负电压(vGS＜ 0) 作用：使栅-源极间的PN结反偏，栅极电流iG≈0，场效应管呈现很高的输入电阻(高达107?左右)。 2.漏-源极间加一正电压(vDS＞0) 作用：使N沟道中的多数载流子电子在电场作用下由源极向漏极作漂移运动，形成漏极电流iD。 在上述两个电源的作用下,iD的大小主要受栅-源电压vGS控制，同时也受漏-源电压vDS的影响。;(1) VGS对沟道的控制作用 (假设vDS=0);(2) VDS对沟道的控制作用;(3) VGS和VDS同时作用时;综上分析可知;# JFET有正常放