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接触式曝光示意图 步进-重复（Stepper）曝光示意图 接近式曝光示意图 投影式曝光示意图 第十七页，共六十八页。 光学曝光、X射线曝光、电子束曝光 ①光学曝光－紫外，深紫外 高压汞灯：紫外(UV），300－450nm； i线365nm，h线405nm，g线436nm。 准分子激光：KrF：λ= 248nm； ArF：λ= 193nm； F2激光器： λ= 157nm。 高压汞灯紫外光谱 2）曝光光源： 8.1.1 光刻工艺流程 第十八页，共六十八页。 电子束曝光：λ＝几十---100?； 优点：分辨率高；不需光刻版（直写式）； 缺点：产量低（适于制备光刻版）； X射线曝光：λ＝2---40? ，软X射线； X射线曝光的特点：分辨率高，产量大。 极短紫外光（EUV）：λ＝10—14nm ②下一代曝光方法 8.1.1 光刻工艺流程 商用X-ray光刻机 第十九页，共六十八页。 光刻7－曝光后烘焙（后烘，PEB） 烘焙温度高于光刻胶玻璃化转变温度（Tg） 光刻胶分子发生热运动 过曝光和欠曝光的光刻胶分子发生重分布 平衡驻波效应，平滑光刻胶侧墙， 目的：提高分辨率 8.1.1 光刻工艺流程 光刻胶中的驻波效应 第二十页，共六十八页。 光刻8－显影(Development) 显影液溶解掉光刻胶中软化部分（曝光的正胶或未曝光的负胶） 从掩膜版转移图形到光刻胶上 三个基本步骤:显影、漂洗、干燥 8.1.1 光刻工艺流程 第二十一页，共六十八页。 显影液：专用 正胶显影液：含水的碱性显影液，如KOH、 TMAH (四甲基氢氧化胺水溶液)，等。 负胶显影液：有机溶剂，如丙酮、甲苯等。 例，KPR（负胶）的显影液：丁酮－最理想； 甲苯－图形清晰度稍差； 三氯乙烯－毒性大。 8.1.1 光刻工艺流程 光刻8－显影(Development) 第二十二页，共六十八页。 影响显影效果的主要因素： ⅰ）曝光时间； ⅱ）前烘的温度与时间； ⅲ）胶膜的厚度； ⅳ）显影液的浓度； ⅴ）显影液的温度； 显影时间适当 t太短：可能留下光刻胶薄层→阻挡腐蚀SiO2(金属） →氧化层“小岛”。 t太长：光刻胶软化、膨胀、钻溶、浮胶 →图形边缘破坏。 8.1.1 光刻工艺流程 光刻8－显影(Development) 第二十三页，共六十八页。 正常显影 过显影 不完全显影 欠显影 显影后剖面 光刻8－显影(Development) 8.1.1 光刻工艺流程 第二十四页，共六十八页。 光刻9－坚膜（Hard Bake） 蒸发PR中所有有机溶剂 提高刻蚀和注入的抵抗力 提高光刻胶和表面的黏附性 坚膜温度: 100 到1300C 坚膜时间：1 到2 分钟 坚膜工艺：烘箱、红外灯 坚膜不足：光刻胶不能充分聚合，黏附性变差，显影时易浮胶、钻蚀。 过坚膜：光刻胶流动造成分辨率变差，易翘曲和剥落 若T300℃：光刻胶分解，失去抗蚀能力。 坚膜控制 正常坚膜 过坚膜 8.1.1 光刻工艺流程 第二十五页，共六十八页。 光刻10－图形检测（Pattern Inspection） ? 检查发现问题，剥去光刻胶，重新开始 – 光刻胶图形是暂时的 – 刻蚀和离子注入图形是永久的 ? 光刻工艺是可以返工的， 刻蚀和注入以后就不能再返工 ? 检测手段：SEM（扫描电子显微镜）、光学显微镜 问题：能否用光学显微镜检查0.25μm尺寸的图形? 不能。因为特征尺寸 (0.25 mm = 250nm) 小于可见光的波长，可见光波长为390nm (紫光) to 750nm (红光)。 8.1.1 光刻工艺流程 第二十六页，共六十八页。 8.1.2 分辨率 分辨率R－表征光刻精度，光刻时所能得到的光刻图形的最小尺寸。 表示方法：每mm最多可容纳的线条数。若可分辨的最小线 宽为L线条间隔也是L），则分辨率R为 R＝1/(2L) (mm-1) 1.影响R的主要因素： ①曝光系统（光刻机）：如X射线（电子束）的R高于紫外光。 ②光刻胶：正胶的R高于负胶； ③其他：掩模版、衬底、显影、工艺、操作者等。 第二十七页，共六十八页。 表1 影响光刻工艺效果的一些参数 8.1.2 分辨率 第二十八页，共六十八页。 2.衍射对R的限制 设一任意粒子（光子、电子），根据不确定关系，有 ΔLΔp≥h 粒子束动量的最大变化为Δp=2p，相应地 若ΔL为线宽，