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- 2022-05-03 发布于广东
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第1页,共21页,编辑于2022年,星期日 霍尔( A.H.Hall ) 霍尔效应是美国物理学家霍尔(A.H.Hall,1855—1938)于1879年在美国霍普金斯大学读研究生期间,研究关于载流导体在磁场中的受力性质时发现的一种现象。 A.H.Hall(1855~1938) 第2页,共21页,编辑于2022年,星期日 霍尔效应(Hall effect ) 如果在一块矩形半导体薄片上沿x轴方向通以电流,在z轴方向上加磁场 ,则在垂直于电流和磁场的方向(即y 轴方向)上产生电势差,这一现象称为霍尔效应,所产生的电压称为霍尔电压。 x y z IS VH 第3页,共21页,编辑于2022年,星期日 霍尔效应(Hall effect ) IS 半导体:N型—载流子是电子;P型—载流子是空穴 有一N型半导体薄片:厚为d,宽为b,A’C’电极间距为l IS mV 洛伦兹力 霍尔电场 霍尔电压 动态平衡时 P型半导体 x y z 电场力 - 第4页,共21页,编辑于2022年,星期日 测量霍尔电压 IS IS mV 实验中的副效应: 不等势电压V0 厄廷豪森效应VE 能斯特效应VN 里纪-勒杜克效应VRL 副效应的消除方法 用对称测量法测量 +B,+IS VAA’=V1 -B,+IS
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