第4章常用电子元器件的识别与测试.pptVIP

达林顿管的结构 达林顿管外形 达林顿管参数 单结晶体管 单结晶体管的应用 3、场效应管 场效应三极管简称场效应管，它也是由半导体材料制成的。与普通双极型三极管相比，场效应管（单极型晶体管）具有很多特点。 场效应管是电压控制器件，它的输出电流决定于输入信号电压的大小，管子的电流受控于栅源之间的电压（ ）。场效应管栅极的输入电阻很高，可达109～1015Ω，对栅极基本上不取电流，这是普通双极型三极管无法与之相比的。场效应管还具有噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、动态范围大等特点，使场效应晶体管的应用范围十分广泛。 场效应管的三个电极分别称为：漏极（D）、源极（S）、栅极（G），也可类比为双极型三极管的e、c、b三极。场效应管的漏极（D）、源极（S）能够互换使用（衬底不和源极连接，则不能再互换）。 （1）场效应管的分类 场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管两大类型，如图所示。 场效应管的分类 G S 栅极 源极 漏极 D N沟结构 结型 场效应管 S 栅极 源极 漏极 D P沟结构 G D G S N沟耗尽型 衬底 D G S P沟耗尽型 衬底 D G S N沟增强型 衬底 D G S P沟增强型 衬底 MOS型 场效应管 日本： A B C D 1—1结管 2---2结管 S—本电子工业协会注册代号 材料/类型 A、B、C、D 注册顺序号 2位以上整数 A B PNP C D NPN 高频 低频 例如：2SD8201A—低频NPN管，A—表示改进型—D8201A 美国： A B C 1—1结管 2—2结管 N—美国电子工业协会 数字 注册顺序号 欧洲： A B C A：硅管 B：锗管 C D F L 三位数字 C D 低频 F L 高频 小功率 大功率 S—小功率开关管 U—大功率开关管 例如：BU208A—硅大功率开关管 韩国： 四位数字表示 1、半导体二极管 （1）半导体二极管的结构 用一定的工艺方法把P型半导体和N型半导体紧密地结合在一起，就会在其交界面处形成空间电荷区叫PN结。 当PN结两端加上正向电压时，即外加电压的正极接P区，负极接N区，此时PN结呈导通状态，形成较大的电流，其呈现的电阻很小（称正向电阻）。 当PN结两端加上反向电压时，即外加电压的正极接N区，负极接P区，此时PN结呈截止状态，几乎没有电流通过，其呈现的电阻很大（称反向电阻），远远大于正向电阻。 理论知识 为温度的电压当量 当PN结两端加上不同极性的直流电压时，其导电性能将产生很大差异。这就是PN结的单向导电性，它是PN结的最重要的电特性。 在一个PN结上，由P区和N区各引出一个电极，用金属、塑料或玻璃管壳封装后，即构成一个半导体二极管。由P型半导体上引出的电极叫正极；由N型半导体上引出的电极叫负极，如图所示。 正极 负极 PN结 P N 二极管的结构 （2）半导体二极管的分类 按材料分类有：锗（ ）二极管、硅（ ）二极管等。 锗二极管与硅二极管性能主要区别在于：锗管正向压降比硅管小（锗管为0.2～0.3V，硅管为0.6～0.7V），锗管的反向电流比硅管大（锗管为几百毫安，硅管小于1μA）。 按制作工艺分类有：面接触二极管和点接触二极管。 按用途分类有：整流二极管、检波二极管、稳压二极管、变容二极管、光电二极管、发光二极管、开关二极管等。 常见二极管的外形 （3）各种二极管的电路符号 二极管的电路符号 一般二极管 稳压二极管 发光二极管 变容二极管 光电二极管 隧道二极管 雪崩二极管 （4）半导体二极管的主要参数 最大整流电流：是指长期工作时，允许通过的最大正向电流值。使用时不能超过此值，否则二极管会发热而烧毁。 最高反向工作电压：是指防止击穿，使用时反向电压极限值。 检波二极管参数 整流二极管参数 变容二极管参数 玻封硅开关二极管参数 稳压二极管参数 红外发光二极管参数 变色发光二极管参数 阻尼二极管参数 单桥硅堆和全桥硅堆 双向触发二极管 （5）半导体二极管的特性 正向特性 ：在二极管两端加正向电压时，二极管导通。当正向电压很低时，电流很小，二极管呈现较大电阻，这一区域称死区。锗管的死区电压约为0.1V，导通电压约为0.3V；硅管死区电压为0.5V，导通电压约为0.7V。当外加电压超过死区电压后，二极