泓域咨询/年产xxx吨半导体衬底材料项目建议书
年产xxx吨半导体衬底材料项目
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报告说明
磷化铟是磷和铟的化合物,磷化铟作为半导体材料具有优良特性。使用磷化铟衬底制造的半导体器件,具备饱和电子漂移速度高、发光波长适宜光纤低损通信、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度较高等特性,因此磷化铟衬底可被广泛应用于制造光模块器件、传感器件、高端射频器件等。20世纪90年代以来,磷化铟技术得以迅速发展,并逐渐成为主流半导体材料之一。由于下游市场需求有限以及成本较高,磷化铟衬底市场规模相对较小。未来,在数据中心、5G通信、可穿戴设备等新兴市场需求的带动下,
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