中频炉原理结构.ppt

INDUCTOTHERM IGBT 第23页，共47页，编辑于2022年，星期五 INDUCTOTHERM IGBT - SCR 功率 Power-Trak 其他 额定容量 可控硅数量/触发电路 IGBT数量/触发电路 1,000 2 2 8 16 1,500 4 4 12 24 2,000 6 6 16 32 2,500 8 8 20 40 3,000 8 8 24 48 功率 Dual-Trak 其他 额定容量 可控硅数量/触发电路 IGBT数量/触发电路 1,000 4 4 16 24 1,500 8 8 24 48 2,000 12 12 32 64 2,500 16 16 40 80 3,000 16 16 48 96 第24页，共47页，编辑于2022年，星期五 INDUCTOTHERM 逆变开关器件 可控硅 60 Hz -- 10 kHz 熔化 加热 高频加热 MOSFET 30 kHz -- 1 MGHz 能量储存量 频率 IGBT 3 kHz -- 50 kHz 第25页，共47页，编辑于2022年，星期五 INDUCTOTHERM 短路保护 第26页，共47页，编辑于2022年，星期五 INDUCTOTHERM 功率因数 串联线路 和 并联线路比较 功率大小 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 1 0.8 0.6 0.4 0.2 0 功率因数 第27页，共47页，编辑于2022年，星期五 INDUCTOTHERM 整流变压器的KVA 串联线路和并联线路的比较 100 功率大小 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 80 60 40 20 0 变压器的KVA 120 第28页，共47页，编辑于2022年，星期五 INDUCTOTHERM 串联逆变线路中谐波电流的含量 谐波次数 5th 7th 11th 13th 17th 19th 谐波含量 串联逆变线路中变压器的KVA值最小，因此谐波含量最小 17.5 11 04.5 03 01.5 01.25 3相6脉冲 02 01.5 04.5 03 00.22 00.15 6相12脉冲 02 01.5 01 00.75 00.22 00.15 12相24脉冲 第29页，共47页，编辑于2022年，星期五 INDUCTOTHERM 通过斩波来控制直流电压 功率因数和可控硅移相角的关系 30 60 90 120 150 相控角 Power Factor 180 串联线路 不控制整流，始终在最高电压 并联线路 可控整流降低直流电压时的功率因数 线功率因数自动减小 最大的线功率因数 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 第30页，共47页，编辑于2022年，星期五 INDUCTOTHERM WAVE CHOPPING TO CONTROL DC VOLTAGE 0 平均直流电压及波纹 全导通时的最大电压 通过斩波降低电压 功率因数 0.95 功率因数 0.4 第31页，共47页，编辑于2022年，星期五 INDUCTOTHERM L2 L1 L3 0 2 3 4 5 6 1 8 7 9 10 11 12 6相供电线路 Fully Conducting Rectified L5 L4 L6 电压反馈线路的功率因数理论上可达到0.98 平均直流电压及波纹 第32页，共47页，编辑于2022年，星期五 INDUCTOTHERM 并联逆变器和串联逆变器的性能比较 电流反馈 电压反馈 功率因数 随着功率下降而降低 恒定大于0.95 电流畸变 较低 0.95 较高 q 线电压毛刺 较高 较低 第33页，共47页，编辑于2022年，星期五 第1页，共47页，编辑于2022年，星期五 INDUCTOTHERM 感应熔化系统的基本结构 整流部分 交流电经过整流变成直流电，直流能量被储存 逆变部分 直流电经过逆变器变成所要求频率的交流电 炉体部分 交流电供给炉体部分 第2页，共47页，编辑于2022年，星期五  恒定的直流电流在直流部分流动 交流电整流变成直流电，直流能量储存在电抗器中 炉体线圈和电容器并联连接 INDUCTOTHERM 电流反馈并联逆变器 第3页，共47页，编辑于2022年，星期五 恒定的直流电压供给逆变器 交流电经过整流变成直流电，直流能量储存在电容器中 炉体线圈和电容器串联连接 INDUCTOTHERM