数电第二章门电路.pptxVIP

《数字电子技术基础》电子课件;第二章 门电路;2.1 概述;正逻辑和负逻辑： 在逻辑电路中存在两种逻辑状态，分别用二值逻辑的1和0来表示。如果以输出的高电平表示逻辑1，以输出低电平表示逻辑0，则这种逻辑制称为正逻辑。反之，若以逻辑1代表低电平，而以逻辑0代表高电平，则称为负逻辑。 ;2.2 半导体开关特性;二极管的开关特性：;二极管的动态特性：;2.2.2 半导体三极管的开关特性（Transistor）; 截止工作状态 放大工作状态 ;随着vi继续升高RC上的压降也随之增大，当RC上的压降增大到晶体三极管的发射结和集电结都正偏时，电路失去放大能力，电路处于饱和状态，VCES称为饱和电压。 只要合理选择电路参数，当vi为低电平时，三极管处于截止，vi为高电平时，三极管导通，三极管相当于一个vi控制的开关。;动态开关特性 主要开关参数 ① 饱和压降 ② 开启延迟时间 ③ 关闭延迟时间 ;二、MOS管的开关特性;当栅极和源极之间加正向电压时VGS，而且当VGS大于开启电压VGSTH，衬底中的少数载流子电子在电场的作用下聚集在栅极下面的衬底表面，形成N型导电沟道，这样在DS间就有电流ID产生。这种类型的MOS管称为N沟道增强型MOS管。;2、静态开关特性;截止区：当VGSVGSth时，漏极和源极之间没有导电沟道，MOS管截止。 可变电阻区：随着输入信号Vi的增加，当VGSVGSth时，MOS管进入可变电阻区。在这个区域里，当VGS一定时，Id与VDS之比近似为一个常数，公式如上。 恒流区：随着VI的增加，VGS也增加，当VGS远大于VGSth时，Id的大小基本上由VGS决定，Id与VGS的关系如上。在恒流区，导通电阻非常小，约为几百欧姆，而Rd为几十万欧姆，输出电压为低电平，即Vo近似为零。;当用P沟道增强型开关管的时候，只要满足开启电压VGSth为负电压的要求，同样可以工作在截止区和恒流区。当Vi等于零时，MOS管为截止状态，输出电压为-VDD，当Vi为负，小于VGSth时，输出电压Vo为低电平。;3、MOS管的动态开??特性;在MOS管的开关状态下，参与导电的只有一种载流子，没有大量存储电荷问题，影响电压传输延迟的主要因素是栅极和源极分布电容以及负载电容的影响。N沟道增强型特性开关如上图。。 MOS管的其它类型： 除了增强型MOS管，还有耗尽型MOS管。N沟道的耗尽型的MOS管在栅极的下面绝缘层中掺进了一定浓度的正离子，因此VGS=0时，DS间已经有了沟道，并且VGS越大，导电沟道越宽，;VGS为负时导电沟道变窄，Id减少，直到VGS-VGSoff0时导电沟道消失，MOS管截止，VGSoff称为N沟道耗尽型MOS管截止时的夹断电压。对于P沟道耗尽型MOS管，采用N型衬底，导电沟道为P型。当VGS为0时，沟道已经存在，只有当VGS VGSoff时，导电沟道才消失，MOS管截止。;4、主要开关参数 ① 导通电阻：MOS管导通时，且 为固定值条件下，漏极电压的变化量与漏极电流变化量之间的比值，即 ② 截止电阻：MOS管截止时，漏极和源极之间的电阻值，大小约为 ③ 跨导 ：在 一定的条件下，漏极电流变化与栅源极电压变化之比，它表示栅源电压对漏极电流的控制能力 ④ 开启电压 和夹断电压 ：对于N沟道增强型MOS管 为正值，P沟道增强型 为负值；对于N沟道耗尽型MOS 管为负值，P沟道耗尽型 为正值。 ;5、MOS管的四种类型;2.3 最简单的与、或、非门电路;二极管构成的门电路的缺点;2.3.2 三极管非门（反相器）;;输入信号低电平时： VB=-1.7V，三极管截止，输出为高电平 输入信号为高电平时： VB=2.3V，三极管导通，可求得iB=0.43mA,它大于饱和时的iBS，所以三极管处于饱和态，输出为低电平。;2.3.3 二极管-三极管与非、或非门 ;2.4 TTL门电路（Transistor-Transistor Logic）;2.4.1 TTL与非门电路结构和工作原理 一、电路结构