拉扎维模拟集成电路精讲单级放大器.pptxVIP

会计学;提纲;基本概念;设计的多维优化;1、共源级放大器;进一步增大Vin,直到Vin＝VOUT+VTH（A点）：;因为MOS管工作在饱和区时，;小信号分析 ;大信号分析;讨论 增益对信号电平的依赖关系导致了非线性 ;1.2 MOS二极管连接做负载的共源级 MOS二极管连接 ;增益 NMOS二极管连接做负载 ;大信号分析：; PMOS二极管连接做负载;讨论 增益与输入信号无关，是器件尺寸的弱函数。 高增益要求会造成集体管的尺寸不均衡。 ;1.3 电流源负载的共源级放大器 讨论 M2的输出阻抗与所要求的M2的最小|VDS|之间联系较弱，因此对输出摆幅的限制较小。 ,所以，长沟器件可以产生高的电压增益。 由 ，知需要同时增加W、L，但这将引入更大的电容。 ;1.4 工作在线性区的MOS为负载的共源级放大器;1.5 带源级负反馈的共源级放大器 大信号分析;小信号直接分析方法;观察;考虑沟道长度调制及体效应时，电路的交流小信号模型为;流过Rs的电流：;小信号等效分析 ;计算Gm;计算Rout;直接观察得到输出电阻：;计算Av ;2、共漏级放大器（源跟随器）;大信号分析;小信号分析 ;采用电流源的源跟随器 ;输出阻抗的计算：;输出阻抗的计算：;采用电流源的源跟随器 ;考虑M1、M2的沟道长度效应，并驱动电阻负载，;讨论 即使源跟随器采用理想电流来偏置，输入输出特性仍呈现一些非线性。 将衬底和源连接在一起，就可以消除由体效应带来的非线性。对于N阱工艺，可采用PMOS来实现（左图）。 源跟随器使信号直流电平产生VGS的移动，会消耗电压余度。 例：右图中，若没有源跟随器，VX最小允许电压为VGS1-VTH1；若加上源跟随器VX必须大于VGS2＋（ VGS3-VTH3 ）;比较：;源跟随器的应用;3、共栅级放大器;由大信号分析得到小信号增益 当M1处于饱和区时 ;小信号分析;考虑晶体管的输出电阻及信号源的阻抗 （小信号分析） 增益 ;输入阻抗;如果RD=0;输出阻抗 与计算带负反馈的共源级放大器的输出电阻情况一致。 ;4、共源共栅级放大器;工作过程的分析;小信号分析 增益 ;输出阻抗;讨论 ;讨论（续1） 比较两种提高增益的方法： 第一种是在给定偏置电流的情况下增大晶体管长度的共源级 第二种是采用共源共栅 ;讨论（续2） 可用来构成恒定电流源。 高的输出阻抗提供一个接近理想的电流源。 采用PMOS的共源共栅结构，电流源的 表现的输出阻抗为 ;折叠式共源共栅放大器 所谓“折叠”针对小信号电流。 为了获得相当的性能，折叠式共源共栅放大器的总偏置电流应该比共源共栅放大器的大。 ;大信号分析 ;器件模型的选择