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PN 结电容电压特性及掺杂浓度的测量 一、实验目的 1. 掌握CV-2000 型电容电压特性测试仪的使用方法； 2. 熟悉C-V 特性的测量。 二、实验仪器 CV-2000 型电容电压特性测试仪是测试频率为1MHz 的智能化 数字的电容测试仪器，专用于测试半导体器件PN 结的势垒电容在不 同偏压下的电容量，也可测试其它电容。面板上的发光二极管指示仪 器的工作状态，用数码管组成的显示板，将被测元件的数值，小数点 清晰地显示出来。仪器有较高的分辨率，电容量是四位读数，可分辫 到，偏置电压分辨力为，漏电流分辨力为。 该仪器采用电流电压测量方法，它用微处理器通过8 次电压测量 来计算每次测量后要求 的参数值。用一个相敏检波器与模数转换器顺序快速完成电压测量。 正交测量通过交换测量 信号的相位来进展，而不是参考相位检测。因而不需要精细的模拟相 位转换成电压矩形波电 路。通过从同一个高频信号源形成测试信号与参考信号，来保证正确 的相位关系。由微处理 器根据的频率与测试信号相位，用ROM 存储器内的程序来控制测 量，以及存储在RAM 中的校准数据来计算被测元件电容值。 第 1 页 三、实验原理 C-V 法利用PN 结或肖特基势垒在反向偏压时的电容特性，可以 获得材料中杂质浓度及其分布的信息，这类测量称为C-V 测量技术。 这种测量可以提供材料截面均匀性及纵向杂质浓度分布的信息，因此 比四探针、三探针等具有更大的优点。虽然扩展电阻也能测量纵向分 布，但它需将样品进展磨角，而C-V 法既可以测量同型低阻衬底上 外延材料的分布，也可测量高阻衬底用异型层的外延材料的分布。 PN结电容为势垒电容与扩散电容之与,正向偏压时,由于正向电流 较大,扩散电容大于势垒电容.反偏时,流过PN结的是很小的反向饱与 电流，扩散电容很小，这时势垒电容起主要作用。所以，C－V测量 加反向电压。 1.对于突变结 势垒电容 ，N*＝ 为约化浓度，A为结区面积 即对突变结来说，1/C与V呈线性关系。如图： 2 直线延长与V轴的交点，可求出接触电势差V ，由直线斜率可求出N 。* D 当PN结为单边突变结时，约化浓度可用高浓度一侧的掺杂代替。 2.缓变结 势垒电容： ，G为掺杂浓度梯度。 即对线性缓变结来说，1/C与V呈线性关系。 3 由直线斜率与截距可求出杂质浓度梯度G与V 。 D 四、实验内容与步骤 第 2 页 1. 测量步骤： 〔1〕开机 仪器安装连接好后，把电源开关按到ON 位置，电源接通，仪器执行 自检程序。如果没 有故障，测量指示灯亮。偏置电压指示状态为(电压去)，虽然偏置电 压有显示，但该电压尚 未加到夹具上去。 〔2〕连接被测件 被测件引线应相当清洁且笔直，将它插入CV-2000 测试座具即可。 假设被测件引线脏， 必须先擦干净，以保证接触良好。 〔3〕零校准 由于温度变化或改变夹具，都会引起寄生电感变化，因此，在每天开 机 30 分钟后，改 变夹具或温度变化大于3℃时，都要完成零校准。分两步完成： I、开路零校准。 a．开机 b．在测量功能检查之后，应按[开路校准]按钮。在电容显示屏内出 现一个零，并且通过灯亮，让人体远离仪器。按[校准触发]键并等一 会，直到通过灯重新亮，开路校准完成。 II、短路零校准。 把随机附带的短路铜片插入测试槽按[短路校准]按钮，电容显示屏内 第 3 页 出现一个5，并且通过灯亮，按[校准触发]键等一会直到通过灯重新 亮，短路零校准完成。完成后请将短路铜片拿开。 〔4〕 测量 在零校准后按测量健，当测量指示灯亮即进入测量状态。 〔5〕偏置电压下测量电容 A.完成上面四个步骤后，把元件插入CV-2000 夹具，夹具的插槽电 压极性为：左边插槽为〔+〕极，右边插槽为〔-〕