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硅基发光研究初探 摘要：微电子技术是高技术中的关键技术,硅是微电子技术的基础材料.但是硅是一种非发光材料.为了发展光电子集成技术,必须大力发展硅基发光材料。硅是一种有希望的硅基发光材料,它表明纳米晶粒中的量子限制效应对光发射是极有效的，随之涌现出一系列量子限制硅基发光料,为发展光电子集成提供了新的途径。 关键词： ABSTRACT KEYWORDS 引言 微电子技术是高技术中的关键技术，它促进了其他各个技术领域的发展与现代化.微电子技术水平已是衡量一个国家发展水平的主要标志之一。微电子技术的核心是硅集成电路，硅是微电子技术的材料基础，硅具有一系列独特的半导体性质，硅是至今人们研究得最清楚，能获得的最纯净、最完整的材料。与之相对应,还发展了一套迄今最精密的硅平面工艺技术,利用这套技术,人们在小小的硅片上建立起了一座微电子学的技术大厦，在可以预见的未来,在微电子技术中,硅的基础地位是无以取代的。 1硅基发光理论知识 1.1 硅基发光的原理 由能带理论观点,使硅基材料发光有两个途径:第一，改变硅基材料的能带结构。即通过在硅材料中引入新的活性发光中心,或在硅基材料中掺入同族元素,使之与硅形成合金, 改变原硅材料的能带结构,增强其发光能力，第二，在硅衬底上制备具有发光性能的复合材料。 1.2 硅基发光的特性 一些人研究了多孔硅光致发光的温度关系,随着样品温度的升高,有人观察到发光峰移向高能(蓝移),有的报道发光峰移向低能,也有的观察到发光峰不随温度变化阁。有人对多孔硅发光峰的温度行为进行了系统研究图,发现发光峰位随温度移动与发光峰的能量有关,随温度升高,发光峰波长较长的样品,它们的发光峰都移向高能,而发光峰能量较高 的样品它们的发光峰都移向低能。发光峰波长位于740nm附近的样品它们的发光峰与测量温度无关。我们研究了碳膜钝化多孔硅的荧光谱随温度的变化关系。随着温度升高,其荧光谱强度增加1-2倍,荧光谱峰位移10-20nm2基本研究方法。 管多孔硅是硅基发光材料中在室温下发光强度最强的材料,但多孔硅存在发光效率相对较低和发光强度随时间衰减并伴随有发光峰位蓝移的问题。为了解决这些 问题,提出了各种多孔硅制备的后处理方法。比如采用一步水热制备方法,使多孔硅纳米颗粒的表面生成一层稳定的Fe-iS键钝化层,获得的荧光谱发光强度高出普通多孔硅5倍以上,且随时间的变化不发生衰减和发光峰位稳定。我们在多孔硅表面沉积一层碳膜,获得碳膜钝化多孔硅的荧光谱强度高出普通多孔硅4.5倍,存放一段时间后,其发光强度不衰减,发光峰位不蓝移。 2基本研究方法 2.1研究其意义 现在的科技手段是有限的，对硅基发光的了解还有一定限制。想要突破现在硅基的市场还需要进一步的研究。硅是微电子技术的基础材料,但是硅是一种非发光材料,为了发展光电集成技术与各种电子产品,必须大力发展硅基发光。 通过查阅各种资料使我们对硅基发光有一个全面的了解、掌握了一定的硅基发光理论知识,进一步加强我们在硅基发光领域的进步。 硅材料在半导体工业中有着不可替代的作用，硅在地球上储量丰富，硅基器件制造成本低廉、环境友好且制造工艺非常成熟，是迄今最适合于集成工艺的材料。然而，由于体硅为间接带隙材料其发光效率低下，故而被认为不是良好的光电子材料，不适宜应用于光电子领域。然而相较于在光电子领域站优势地位的化合物半导体材料，硅基光电子材料又有着成本低廉、易于实现光电集成等优点。 2.2研究路线 在硅材料中引入新的发光中心,通常的方法有: (1)杂质发光方法。即在硅中掺入杂质(如掺入稀土金属铒等方法),从而在硅禁带中引入辐射复合中心。 (2)缺陷工程。即在硅单晶中引入活性缺陷中心,通过这些活性缺陷中心实现无声子发光。掺铒硅。它是利用杂质发光方法研制的典型硅基发光材料。研究表明,在硅中掺入稀土离子,辐射光波由稀土离子自身能级结构决定,与稀土离子被掺入何种母体半导体材料无关,稀土离子辐射的光波分布在红外波段。掺铒硅可以获得波长为1.54m的光致发光(PL)或电致发光(EL),该波长正处于硅玻璃光纤低损耗窗的波长范围,与光纤通信匹配,因而受到重视。 2.3如何提高硅基发光的价值 目前,国内外多数学者认为,纳米硅发光机制源于其颗粒的量子限制效应,其发光波长和强度与颗粒(晶粒)尺寸密切相关,且有量子尺寸效应。由于制备的纳米硅与环境和热处理有关,所以,表面态也在纳米硅发光中起一定的作用。近年来,无论是硅基发光材料和器件还是发光机理的研究都取得了相当大的进展,硅基光电集成的前景是很光明的,一旦实现了全硅光电集成,对光通信技术和超高速计算机发展具有划时代的意义,虽然达到这一目标还有许多问题要解决,如对于多孔硅,如何提高可靠性、稳定性和响应速度,降低功耗,解决与硅工艺兼容问题，对于掺饵硅,如何提高发光效率,解决荧光淬灭等问题。但我