《半导体测试技术》课程教学大纲（本科）.docVIP

《半导体测试技术》课程教学大纲 一、课程基本情况 课程代码：1031239020 课程名称（中/英文）：半导体测试技术/ Semiconductor Test Tecnology 课程类别：专业选修课 开课学期：学期 学分：2 总学时：32 理论学时：32 实验/实践学时：0 适用专业：电子科学与技术 适用对象：本科 先修课程：高等数学、大学物理、电路、固体物理、半导体物理 开课学院：电气工程与自动化学院 二、课程简介 1.课程任务与目的 在本课程教学环节中，加入对开源以来电子技术行业成绩的回顾，加入对半导体物理领域发展的回顾，介绍国家制造2025中的电子科技行业发展目标，起到激发学生对本专业的自信，投入电子科学与技术领域经济建设一线建功立业的热情，激发学生勇于创新、服务祖国的理想。通过本课程的教学，使学生掌握半导体材料和器件的常用测试方法与测试原理，理解半导体测试技术的作用及应用，熟悉常用半导体测试设备的基本组成和结构，理解同一参数不同测试方法的差异，能根据测试样品和测试要求，设计测试方案，并控制测量误差。 2.对接培养的岗位能力 本课程支持以下毕业要求： 毕业要求1.3掌握电子科学与技术专业知识，用于电路与系统、集成电路领域中复杂工程问题的研究和改进； 毕业要求4.3 根据数据进行整理，分析，对实践过程中出现的问题或现象进行解释和处理，得到的实验结论，为解决复杂电子科学与技术专业工程问题提供支撑； 毕业要求5.3 在利用相关的现代工程工具及仿真软件时，要理解所使用的现代工具的特点和局限性，能设计相关的方法对其进行弥补和修正。 三、课程教学目标 课程目标及毕业要求如下： 课程目标1.掌握半导体材料的性能检测方法，包括：半导体材料的分类讲解，半导体材料的结构及其性能讲解。（支撑毕业要求1.3） 课程目标2.掌握半导体器件制作工艺参数的检测方法，包括不同工艺过程中的重要参数的讲解和理解。使学生利用所学知识及数学模型建立半导体器件的等效模型并分析计算其性能指标，具有查阅电子器件手册及合理选择器件分析实际工程问题的能力。（支撑毕业要求4.3） 课程目标3.能了解典型的半导体器件的性能测试方法，能认识到解决问题有多种方案可选择，能通过文献研究寻求可替代解决方法。使学生掌握基本检测方法和数学分析法综合分析典型半导体器件制作工艺中的不同参数的检测结果。（支撑毕业要求5.3） 课程目标与毕业要求的关系矩阵 课程目标 毕业要求指标点 1.3 4.3 5.3 课程目标1 √ 课程目标2 √ 课程目标3 √ 四、教学课时安排 （一）理论学时分配 序号 教学内容 总学时 学时 完成课程 教学目标 讲课 实验 实践 1 半导体材料的性能检测 10 10 目标1 2 半导体器件制作工艺参数的检测 10 10 目标2 3 典型的半导体器件的性能测试 12 12 目标3 合计 32 32 五、教学内容及要求 主题1半导体材料的性能检测 1.教学内容 掌握半导体材料的性能检测方法。包括：半导体材料的分类讲解，半导体材料的结构及其性能讲解。要求：使学生掌握晶向及缺陷检测、电阻率、杂质浓度、少子寿命等性能检测方法，使学生利用所学知识及数学模型建立半导体材料的等效模型并分析计算其性能指标，具有查阅电子器件手册及合理选择器件分析实际工程问题的能力。 2.教学 半导体材料的分类讲解，半导体材料的结构及其性能。 3.教学难点 晶向及缺陷检测、电阻率、杂质浓度、少子寿命等性能检测方法。 4.教学方案设计 使用多媒体和板书相结合的教学方法，采用引导讲授式和互动讨论式教学手段。其中包括：讲授法通过系统的语言描述、展示、讲解、示范来学生学习。研讨法通过师生讨论共同思考和解决问题。练习法进行巩固知识和运用知识的练习。 主题2 半导体器件制作工艺参数的检测 1.教学内容 掌握半导体器件制作工艺参数的检测方法，工艺过程：多晶硅——区熔或直拉——单晶硅棒——滚、切、磨、抛——硅片，包括不同工艺过程中的重要参数的讲解和理解。使学生利用所学知识及数学模型建立半导体器件的等效模型并分析计算其性能指标，具有查阅电子器件手册及合理选择器件分析实际工程问题的能力。要求：使学生初步掌握PN结掺杂分布、关键尺寸、薄膜厚度等参数的检测，培养学生利用基本检测方法和数学分析法综合分析半导体器件制作工艺中的不同参数的检测结果。 2.教学 半导体器件制作工艺过程中参数的基本检测方法。 3.教学难点 利用基本检测方法和数学分析法综合分析半导体器件制作工艺中的不同参数的检测结果 4.教学方案设计 使用多媒体和板书相结合的教学方法，采用引导讲授式和互动讨论式教学手段。其中包括：讲授法通过系统的语言描述、展示、讲解、示范来学生学习。研讨法通过师生讨论共同思考和解决问题。练习法进行巩固知识和运用知识的练习。 主题3 典型