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杭电计组实验5-存储器设计实验
二、仿真波形
三、电路图
顶层电路模块
顶层电路内部结构：
四、引脚配置（约束文件）
NET Clk LOC = C9;
NET LED[4] LOC = M11;
NET LED[3] LOC = V15;
NET LED[2] LOC = U15;
NET LED[1] LOC = V16;
NET LED[0] LOC = U16;
NET Mem_Addr[7] LOC = U8;
NET Mem_Addr[6] LOC = N8;
NET Mem_Addr[5] LOC = M8;
NET Mem_Addr[4] LOC = V9;
NET Mem_Addr[2] LOC = T10;
NET Mem_Write LOC = C4;
NET Mem_Addr[3] LOC = T9;
NET C[1] LOC = T5;
NET C[0] LOC = V8;
NET LED[7] LOC = T11;
NET LED[5] LOC = N11;
NET LED[6] LOC = R11;
五、思考与探索
(1)读操作实验结果记录表
存储器地址 初始化数据 读出数据 写入新数据 读出数据
5’b000000 32’ 32’ 32h0055_7523 32h0055_7523
5’b000001 32’ 32’ 32h0055_7523 32h0055_7523
5’b000002 32’ 32’ 32h0055_7523 32h0055_7523
5’b000003 32’ 32’ 32h0055_7523 32h0055_7523
5’b000004 32’ 32’ 32h0055_7523 32h0055_7523
5’b000005 32’ 32’ 32h0055_7523 32h0055_7523
5’b000006 32’ 32’ 32h0055_7523 32h0055_7523
5’b000007 32’ 32’ 32h0055_7523 32h0055_7523
(2)答：这些单元的数据已经被改写了。读出数据与写入数据一致。
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