提拉法合成宝石及其鉴定方法.pdfVIP

提拉法又称丘克拉斯基法，是丘克拉斯基(J.Czochralski)在1917 年发明的从熔体中提拉生长高 质量单晶的方法。这种方法能够生长无色蓝宝石、红宝石、钇铝榴石、钆镓榴石、变石和尖晶石 等重要的宝石晶体。2O 世纪60 年代，提拉法进一步发展为一种更为先进的定型晶体生长方法— —熔体导模法。它是控制晶体形状的提拉法，即直接从熔体中拉制出具有各种截面形状晶体的生 长技术。它不仅免除了工业生产中对人造晶体所带来的繁重的机械加工，还有效的节约了原料， 降低了生产成本。 第一节 提拉法 一、 提拉法的基本原理 提拉法是将构成晶体的原料放在坩埚中加热熔化，在熔体表面接籽晶提拉熔体，在受控条件 下，使籽晶和熔体的交界面上不断进行原子或分子的重新排列，随降温逐渐凝固而生长出单晶体。 图 3-1 提拉法合成装置 (点击可进入多媒体演示) 二、提拉法的生长工艺 首先将待生长的晶体的原料放在耐高温的坩埚中加热熔化，调整炉内温度场，使熔体上部处 于过冷状态；然后在籽晶杆上安放一粒籽晶，让籽晶接触熔体表面，待籽晶表面稍熔后，提拉并 转动籽晶杆，使熔体处于过冷状态而结晶于籽晶上，在不断提拉和旋转过程中，生长出圆柱状晶 体。 1.晶体提拉法的装置 晶体提拉法的装置由五部分组成： （1）加热系统 加热系统由加热、保温、控温三部分构成。最常用的加热装置分为电阻加热和高频线圈加热 两大类。采用电阻加热，方法简单，容易控制。保温装置通常采用金属材料以及耐高温材料等做 成的热屏蔽罩和保温隔热层，如用电阻炉生长钇铝榴石、刚玉时就采用该保温装置。控温装置主 要由传感器、控制器等精密仪器进行操作和控制。 （2）坩埚和籽晶夹 作坩埚的材料要求化学性质稳定、纯度高，高温下机械强度高，熔点要高于原料的熔点 200℃ 左右。常用的坩埚材料为铂、铱、钼、石墨、二氧化硅或其它高熔点氧化物。其中铂、铱和钼主 要用于生长氧化物类晶体。 籽晶用籽晶夹来装夹。籽晶要求选用无位错或位错密度低的相应宝石单晶。 （3）传动系统 为了获得稳定的旋转和升降，传动系统由籽晶杆、坩埚轴和升降系统组成。 （4）气氛控制系统 不同晶体常需要在各种不同的气氛里进行生长。如钇铝榴石和刚玉晶体需要在氩气气氛中进 行生长。该系统由真空装置和充气装置组成。 （5）后加热器 后热器可用高熔点氧化物如氧化铝、 陶瓷或多层金属反射器如钼片、铂片等制成。通常放 在坩埚的上部，生长的晶体逐渐进入后热器，生长完毕后就在后热器中冷却至室温。后热器的主 要作用是调节晶体和熔体之间的温度梯度，控制晶体的直径，避免组分过冷现象引起晶体破裂。 2.晶体提拉法生长要点 （1）温度控制 在晶体提拉法生长过程中，熔体的温度控制是关键。要求熔体中温度的分布在固液界面处 持熔点温度，保证籽晶周围的熔体有一定的过冷度，熔体的其余部分保持过热。这样，才可保证 熔体中不产生其它晶核，在界面上原子或分子按籽晶的结构排列成单晶。为了保持一定的过冷度， 生长界面必须不断地向远离凝固点等温面的低温方向移动，晶体才能不断长大。另外，熔体的温 度通常远远高于室温，为使熔体保持其适当的温度，还必须由加热器不断供应热量。 （2）提拉速率 提拉的速率决定晶体生长速度和质量。适当的转速，可对熔体产生良好的搅拌，达到减少 径向温度梯度，阻止组分过冷的目的。一般提拉速率为每小时 6-15mm。 在晶体提拉法生长过程中，常采用“缩颈”技术以减少晶体的位错，即在保证籽晶和熔体充 分沾润后，旋转并提拉籽晶，这时界面上原子或分子开始按籽晶的结构排列，然后暂停提拉，当 籽晶直径扩大至一定宽度（扩肩）后，再旋转提拉出等径生长的棒状晶体。这种扩肩前的旋转提 拉使籽晶直径缩小，故称为“缩颈”技术。 3.提拉法的优缺点 晶体提拉法与其它晶体生长方法相比有以下优点： （1）在晶体生长过程中可以直接进行测试与观察，有利于控制生长条件； （2）使用优质定向籽晶和“缩颈”技术，可减少晶体缺陷，获得所需取向的晶体； （3）晶体生长速度较快； （4）晶体位错密度低，光学均一性高。 晶体提拉法的不足之处在于： （1）坩埚材料对晶体可能产生污染； （2）熔体的液流作用、传动装置的振动和温度的波动都会对晶体的质量产