无机材料测试技术思考与练习题答案 .docxVIP

无机材料测试技术思考与练习题答案 .docx

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1 、 X 射线产生的基本条件是什么? X 射线的性质有哪些? 答: X 射线产生的基本条件: (1) 产生自由电子 (2) 使电子做定向高速运动 (3) 在其运动的路径上设置一个障碍物,使电子突然减速。 X 射线的性质: X 射线肉眼看不见,可使物质发出可见的荧光,使照相底片感光,使气体电 离。 X 射线沿直线传播,经过电场或磁场不发生偏转,具有很强的穿透能力,可 被吸收强度衰减,杀伤生物细胞。 2、连续 X 射线谱及特征 X 射线谱的产生机理是什么? 答:连续 X 射线谱的产生机理: 当高速电子流轰击阳极表面时, 电子运动突然受到阻止, 产生极大的负加速度, 一个带有负电荷的电子在受到这样一种加速度时, 电子周围的电磁场将发生急剧 的变化, 必然要产生一个电磁波, 该电磁波具有一定的波长。 而数量极大的电子 流射到阳极靶上时, 由于到达靶面上的时间和被减速的情况各不相同, 因此产生 的电磁波将具有连续的各种波长,形成连续 X 射线谱。 特征 X 射线谱的产生机理: 当 X 射线管电压加大到某一临界值 Vk 时,高速运动的电子动能足以将阳极物 质原子的 K 层电子给激发出来。 于是低能级上出现空位, 原子系统能力升高, 处 于不稳定的激发状态, 随后高能级电子跃迁到 K 层空位, 使原子系统能量降低重 新趋于稳定。 在这个过程中, 原子系统内电子从高能级向低能级的这种跃迁, 多 余的能量将以光子的形式辐射出特征 X 射线。 3、以表 1.1 中的元素为例,说明 X 射线 K 系波长随靶材原子序数的变化规律, 并加以解释? 答:根据莫赛莱定律 1 =K Z- ,靶材原子序数越大, X 射线 K 系波长越小。 λ c 靶材的原子序数越大,对于同一谱系,所需激发电压越高, h =eV ,X 射线 K λ k k 系波长越小。 4、什么是 X 射线强度、 X 射线相对强度、 X 射线绝对强度? 答:X 射线强度是指垂直于 X 射线传播方向的单位面积上在单位时间内通过的光 子数目的能量总和。 5、为什么 X 射线管的窗口要用 Be 做,而防护 X 光时要用 Pb 板? I答: =e - m t ,Be 吸收系数和密度比较小,强度透过的比较大;而Pb 吸收系数 I I 0 和密度比较大,强度透过的比较小。因此 X 射线管的窗口要用 Be 做,而防护 X 光时要用 Pb 板。 6、解释 X 射线的光电效应、俄歇效应与吸收限,吸收限的应用有哪些? 答:光电效应: X 射线与物质作用,具有足够能量的 X 射线光子激发掉原子 K 层 的电子, 外层电子跃迁填补, 多余能量辐射出来, 被 X 射线光子激发出来的电子 称为光电子,所辐射的 X 射线称为荧光 X 射线,这个过程称为光电效应。 俄歇效应: 原子在 X 射线光子的作用下失掉一个 K 层电子, 它所处状态为 K 激发 态,当一个 L2 层电子填充这个空位后,就会有数值等于 EL2-Ek 的能量释放出来, 当这个能量 EL2-EkEL ,它就有可能使 L2 、L3 、M 、N 等层的电子逸出,产生相应 α的电子空位,而这被 K 荧光 X 射线激发出的电子称为俄歇电子,这个过程称为 α 俄歇效应。 7、说明为什么对于同一材料其 λ kλkβλkα。 答:导致光电效应的 X 光子能量=将物质 K 电子移到原子引力范围以外所需作的 功 hv =W ;hv =E -E =W -W =hv -hv ;hv =E -E =W -W =hv -hv k k kα L k k L k L kβ M k k M k M hv = hv -hv hv kβ k M k 又E -E E -E 故hv hv 所以hv hv hv L k M k kα kβ kα kβ k c v= λ 所以 λ kλkβλkα 8、一元素的特征射线能否激发出同元素同系的荧光辐射,例如,能否用 Cu kα 激发出 Cu kα 荧光辐射, 或能否用 Cu kβ 激发出 Cu kα 荧光辐射? 或能否用 Cu kα X 射线激发 Cu Lα

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