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LED电特性 I-V特性是LED芯片性能主要参数。 I-V特性具有非线性、整流性质：单向导电性，即外加正偏压 表现低接触电阻，反之为高接触电阻。 （1）正向死区 （2）正向工作区 （3）反向死区 （4）反向击穿区 * 第二十八页，共七十七页。 LED电特性 C-V特性 LED的芯片pn结面积大小不一，使其结电容也不一 C-V特性 呈现二次函数关系是电容与电压的关系 最大允许功耗PF m 响应时间 是LED点亮与熄灭所延迟的时间。 响应时间 主要取决于载流子寿命、器件的结电容及电路阻抗。 LED点亮时间——指接通电源使发光亮度达到正常的10%开始，一直到发光亮度达到正常值的90%所经历的时间。 LED 熄灭时间——指正常发光减弱至原来的10%所经历的时间。 不同材料制得的LED响应时间各不相同 * 第二十九页，共七十七页。 LED光特性 发光强度 是表征发光器件发光强弱的重要性能。LED大量应用要求是圆柱、圆球封装，由于凸透镜的作用，故都具有很强指向性：位于法向方向光强最大，其与水平面交角为90°。当偏离正法向不同θ角度，光强也随之变化。 发光强度随着不同封装形状而强度依赖角方向。 发光强度的角分布θ是描述LED发光在空间各个方向上光强分布。它主要取决于封装的工艺，透镜的材料，透镜的曲率，芯片周围的反光杯。 * 第三十页，共七十七