半导体材料与工艺之晶体生长原理.pptVIP

* 4.临界过冷度 ΔTc就是可以开始结晶的最小过冷度，称为临界过冷度。 临界过冷度与金属纯度的关系很大。纯净的金属小滴，ΔTc可达0.2Tm（K）。为避免杂质的影响，通过分散滴液法实验，把＜50μm 的金属液体滴入玻璃或油状液体中，就可观察其结晶的过程，测出过冷度。但在大体积金属结晶时，由于纯度不够，又有容器壁的作用， 一般为5~10 ℃或稍多一些。 8.1.2.1 均匀形核 第三十页，共八十页。 * 5.形核率（rate of nucleation）， 单位时间、单位体积中所形成的晶核数目——形核率用N（晶核数目/s.cm3 ) 。形核率受两个方面因素的控制： 是随着ΔT的增加，自由能差的增大，晶核的临界半径和形核功都随之减小，结果使晶核易于形成，形核率增加； 增加液态金属的ΔT，就势必降低原子的扩散能力，结果给形核造成困难，使形核率减少。 形核率可用下式表示：N=N1×N2 式中N1 为受形核功影响的形核率因子，N2受原子扩散能力影响的形核率因子。 从理论上，形核率随ΔT的增加有一个最大值。在开始阶段是自由能差的增大起主要作用，使形核率增加。后一阶段是扩散系数的降低起主要作用，使形核率降低。 8.1.2.1 均匀形核 第三十一页，共八十页。 * 但在实际的结晶条件下，对于纯金属，在到达一定的过冷度之前，液态金属中基本上不形核，一旦温度降至某一温度时