第八讲存储器DRAM.pptxVIP

第八讲存储器DRAM;本讲主要内容;DD; ? 集成度高,功耗低  ? 具有易失性,必须刷新。  ? 破坏性读出,必须读后重写  ? 读后重写,刷新均经由刷新放大器进行。  ? 刷新时只提供行地址,由各列所拥有得刷新放大器,选中行全部存储细胞实施同时集体读后重写(再生)。;单元;大家学习辛苦了，还是要坚持;A9;1;A9;A9;A9;A9;A9;A9;A9;;;;内部结构——Intel2164(64K×1); ;⑦、1M×4位DRAM; (3) 动态 RAM 时序;(1) DRAM得刷新 不管是哪一种动态RAM,都是利用电容存储电荷得原理来保存信息得,由于电容??逐渐放电,所以,对动态RAM必须不断进行读出和再写入,以使泄放得电荷受到补充,也就是进行刷新。 动态MOS存储器采用“读出”方式进行刷新, 先将原存信息读出,再由刷新放大器形成原信息并重新写入。; 刷新与行地址有关;tC = tM + tR;③ 分散刷新与集中刷新相结合(异步刷新); 　在这种刷新操作中,基本上只用RAS信号来控制刷新,CAS信号不动作。为了确保在一定范围内对所有行都刷新,使用一种外部计数器。 2)CAS在RAS之前得刷新 这种方式是在RAS之前使CAS有效,启动内部刷新计数器,产生需要刷新得行地址,而忽略外部地址线上得信号。目前256K位以上得DRAM片子通常都具