薄膜制备技术溅射法.pptVIP

一、阴极溅射装置及特性 优点：结构简单，操作方便，可长时间进行溅射。 缺点： 阴极溅射辉光放电的离化率低，沉积速率低，只有80nm/min； 靶材必须为金属，在非反应性气氛中不能制备绝缘介质材料； 二次电子轰击，温度较高，使不能承受高温的衬底的应用受到限制，且对衬底造成损伤； 工作气压高，对薄膜造成污染，影响沉积速率，降低工作气压易使辉光放电熄灭。 第二十六页，共七十页。 二、 三极溅射和四极溅射装置及特性 在低压下，为增加离化率并保证放电自持，方法之一是提供一个额外的电子源将电子注入到放电系统中，这个独立的电子源就是热阴极，它通过热离子辐射形式发射电子。 所谓三极指的是阴极、阳极和靶电极。 四极溅射是在上述三极的基础上再加上辅助电极，也称为稳定电极，用以稳定辉光放电。 沉积速率约2? m/min。 第二十七页，共七十页。 三极溅射 在低压下，为增加离化率并保证放电自持，方法之一是提供一个额外的电子源将电子注入到放电系统中。 阳极电位高于基片 三极溅射装置及特性 第二十八页，共七十页。 二、 三极溅射和四极溅射装置及特性 优点：轰击靶材的离子电流和离子能量可以完全独立控制，而且在比较低的压力下也能维持放电，因此溅射条件的可变范围大；对衬底的辐射损伤小，可以避免衬底温升。 缺点：装置结构复杂，难以获得覆盖面积大、密度均匀的等离子体，灯丝易消耗。 除特殊用途外已不在