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第3章 逻辑门电路;;二、高、低电平的概念;3.1.2 晶体二极管开关特性; Vcc ;二极管嵌位作用;3.1.3 晶体三极管的开关特性;1. 晶体三极管的工作状态; ?;(2) 若b=50其余条件不变 ，再求vi=0V和 vi=3V 时的输出电压vo= ? (VCC=5V, RC = 1kΩ, RB=30kΩ);vo=;(3) 分析VCC , vi , RB , RC , b的大小如何变 化才有利于三极管的饱和？ ;;VCC=+5V;思考如下问题：;（2）在下图中，IIH，IIH1，IIH2，IIH3其值各为多少？它们之间有何关系？（设VCC=5V，UIL=0.3V，UIH=6V）。 ;2、二极管或门电路 ;3.2.2. 晶体三极管非门电路;2.晶体三极管非门的负载能力;;;;例2 VCC=5V，RC=1kΩ，RB=5kΩ，b = 50, ICM = 30 mA.。与门的输入低电平电流IIL=1.5 mA,输入高电平电流IIH=50mA。并保证反相器的输出高电平不低于3V。试计算： (1) 当输入高电平Ui=3V时，该电路能带多少个与门负载？; 所带与门个数从NL和NH中取最小的，故该反相器正常工作时可带12个与门。;;3.2.3 二极管-三极管与非门(DTL与非门);二极管—三极管或非门和与或非门;3.3 TTL逻辑门 ;;;1、任一输入为低电平（0.3V）时;;2、输入全为高电平（3.6V）时;3.3.2TTL与非门的主要参数;1、输入输出高、低电平;;（1）电压传输特性;低电平噪声容限为：UNL=Uoff－UIL;;1、输入低电平电流IIL;2、输出低电平电流IOL;;;;;名称及符号;4、工作速度(平均传输延迟时间)与功耗;(2) 空载导通功耗: ;3.3.3 TTL集电极开路门和三态门 1、集电极开路门—OC门（Open Collector Gate）;;;OC门的“线与”功能;F=F1F2F3?;;RL的计算方法:;;例1 已知输出管截止时的漏电流IOH=100μA，ILM=20mA。G3、G4、G5均为TTL与非门，它们IIL=1.5mA，IIH=40μA。 给定VCC=5V，要求OC门输出的高电平UOH≥3.0V，低电平UOL≤0.4V。 ; 3、OC门的应用;;OC门可以作为驱动显示器件和执行机构。 VCC和RL的值要根据OC门和LED的正常工作电 流来选择。;二、 三态TTL与非门（TSL）;;1;;;;惯用符号;;EN;传输门;2.3.4 TTL电路使用常识;2、TTL门电路的开门电阻Ron和关门电阻Roff;;开门电阻Ron;3. TTL门电路多余输入端的处理 ;4. TTL电路带灌流负载能力强于带拉流负载能力;1、三极管的三种工作状态，及其特点。;1、OC门使用时应该注意什么事项？OC门有哪些应用？ ;4、开门电阻、关门电阻的典型值分别为多少？;2.5 MOS逻辑门（Metal Oxide Semiconductor）;2.5.1 MOS晶体管 ;2. MOS管逻辑符号及转移特性： ; P; S; N;2.5.2 NMOS逻辑门;2. NMOS逻辑门 ;NMOS或非门;NMOS与或非门;3.5.3 CMOS逻辑门 ;ui=0;ui=１;2. CMOS与非门; ●;4. CMOS三态门 ;（a）;5．CMOS传输门;3.5.4 CMOS电路使用注意事项 ;3.6 编程逻辑器件（PLD）简介 ;3.6.1 PLD概述 ;;(2) PLD输入与输出电路 ;;例 1 试写出如图所示电路输出端F的逻辑表达式。 ;例 2 在如图所示电路中，试写出当EN=0和EN=1时，输出端F1和F2的逻辑表达式。 ;例 2 在如图所示电路中，试写出当EN=0和EN=1时，输出端F1和F2的逻辑表达式。 ;3.6.2 PLD的编程工艺 （一般了解）;3.6.3 PLD的基本结构;3.按可编程部位分类的几种PLD电路 ;实现函数: 应对或阵列进行编程，如图所示。;(2) 可编程逻辑阵列PLA(Programmable Logic Array) 电路 ;例如，实现函数： , 。 化简后为 ，其编程后的逻辑图如图所示。 ;(3) 可编程阵列逻辑PAL(Programmable Array Logic)电路;同样用PAL电路实现 ， ， 化简后得：